Sandisk a Toshiba se vrací zpět k 56nm procesu
30.1.2007, Jan Vítek, aktualita
Mezi zprávami, které obecně mluví o dalších pokrocích ve zmenšování výrobní technologie, se objevila jedna, která již tak pozitivní nádech nemá. Firmy Sandisk a Toshiba totiž plánovaly výrobu nových MLC (Multi Level Cell) NAND pamětí pomocí...
Mezi zprávami, které obecně mluví o dalších pokrocích ve zmenšování výrobní technologie, se objevila jedna, která již tak pozitivní nádech nemá. Firmy Sandisk a Toshiba totiž plánovaly výrobu nových MLC (Multi Level Cell) NAND pamětí pomocí 52nm procesu v továrně Fab 3 firmy Toshiba v japonském Yokkaichi. Nyní se však ukázalo, že tento proces je pro firmy až příliš odvážný, a tak se výroba vrátí zpět na 56nm.
První testovací vzorky 8Gb NAND čipů již sjíždí z výrobních linek a jejich masová výroba se plánuje na konec tohoto kvartálu. V dalším čtvrtletí se však dočkáme už další generace 16Gb čipů s nimiž se také počítá v nových mobilních telefonech a PDA. V tomto ohledu má tedy společnost Samsung navrch, neboť ta bude své 16Gb NAND paměti vyrábět 50nm procesem, o němž Sandisk s Toshibou ani neuvažovaly.
Zdroj: TheInquirer
První testovací vzorky 8Gb NAND čipů již sjíždí z výrobních linek a jejich masová výroba se plánuje na konec tohoto kvartálu. V dalším čtvrtletí se však dočkáme už další generace 16Gb čipů s nimiž se také počítá v nových mobilních telefonech a PDA. V tomto ohledu má tedy společnost Samsung navrch, neboť ta bude své 16Gb NAND paměti vyrábět 50nm procesem, o němž Sandisk s Toshibou ani neuvažovaly.
Zdroj: TheInquirer
