Společnost Infineon používá 110 nm proces pro výrobu DRAM čipů
3.5.2003, David Vrtal, aktualita
Společnost Infineon Technologies AG začala používat svůj pokročilý 110 nm proces pro výrobu DRAM produktů. Prvními výrobky vyrobenými touto technologií budou paměťové moduly 256 Mbit DDR. Nový proces je výhodný pro výrobu velmi rychlých...
Společnost Infineon Technologies AG začala používat svůj pokročilý 110 nm proces pro výrobu DRAM produktů. Prvními výrobky vyrobenými touto technologií budou paměťové moduly 256 Mbit DDR. Nový proces je výhodný pro výrobu velmi rychlých pamětí jako je DDR-II a dovoluje použít paměťovou hustotu až 1 Gb na čip. Použitím procesu dochází ke snížení velikosti čipů až o 30% a také k poklesu jejich výrobní ceny.
