Toshiba přichází s 3D NAND čipy

Na VLSI sympóziu prezentovala Toshiba svůj nový projekt 3D pamětí flash NAND. Vrstvením a novou architekturou těchto pamětí by se neměla zvětšovat velikost (rozuměj rozměry, ne kapacitu) pamětí a i bez pokročilejší výrobní technologie se má výrazně zvětšit hustota paměťových buněk a výsledná kapacita.
Nynější metody vrstvení pokládají paměti jednu vrstvu na druhou. Nová technologie Toshiby používá kolmé tunely přes vrstvený materiál, které jsou vyplněny přesně znečištěným křemíkem. Každé toto spojení jedné vrstvy substrátu a tunelu (resp. díry) je schopno uchovat si data a funguje jako paměťová buňka.
Pro představu, Toshiba hlásá, že 32-vrstvá paměť nabízí až 10x větší integraci než standardní čip vytvoření stejným technologickým procesem výroby. Takové paměti by mohly být velmi užitečné při stále se zvyšujících požadavcích na kapacitu flash pamětí, zejména co se týče SSD disků.

Zdroj: www.dailytech.com