Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

TSMC a 5nm proces: až o 87% více tranzistorů oproti 7 nm

23.3.2020, Jan Vítek, aktualita
TSMC a 5nm proces: až o 87% více tranzistorů oproti 7 nm
Společnost TSMC v posledních letech pozoruhodně hladce vyvíjí nové výrobní procesy a nyní je už na prahu spuštění výroby pomocí 5nm technologie. Jde o N5 či N5P, který má zajistit velice slušný růst tranzistorové hustoty.
Server Wikichip využil několik oficiálních zdrojů, které ovšem ještě stále neuvádějí některé klíčové informace, jako třeba přesné rozměry tranzistorových struktur, ale aspoň se dozvídáme jeden hlavní zastřešující údaj. Jde o počet 171,3 MTr/mm2, čili přes 171 milionů tranzistorů na milimetr čtverečný, což si lze jednak už těžko představit a pak se přímo od TSMC dozvídáme,  že to znamená 1,87násobnou hustotu oproti dnes široce využívanému procesu N7. 
 
Pro představu, kdybychom tu měli teoretický die-shrink 16nm čipu GP102 (GTX 1080 Ti, TITAN X) právě s využitím 5nm procesu, pak takový čip by se mohl svou velikostí přiblížit low-endovému GP108 na grafice GeForce GT 1030 (byl by jen o cca 10 procent větší). Ale to je pouze založeno na udávané tranzistorové hustotě, realita může být jiná. 
 
 
Tchaj-wan zůstává koronavirem stále relativně nepostižen, takže také stále platí, že 5nm výroba v TSMC začne v dubnu a na tom se asi už nic nezmění. Bude tak spuštěna přesně dva roky po odstartování 7nm výroby.
 
 
TSMC N5 bude nasazen pro výrobu vysoce výkonných mobilních SoC a HPC (prozatím), a to konkrétně na EUV linkách ve Fab 18, čili v moderní GigaFab v Southern Taiwan Science Park.
 
Pro tranzistorovou hustotu tak platí až 1,84násobek oproti N7, ovšem pro analogové obvody jde o cca 1,2násobek a Geoffrey Yeap z TSMC nám dává už konkrétní představu pro "typické mobilní SoC". To se skládá ze 60 % z logických obvodů, 30 % tvoří SRAM a 10 % pak analogové I/O. V takovém případě by byl čip vyrobený pomocí N5 oproti N7 o 35 až 40 % menší. A pokud jde o výkon a spotřebu, při stejném výkonu může jít právě spotřeba dolů o cca 30 %, anebo výkon nahoru o 15 % při stejné spotřebě. 
 
TSMC také zdůrazňuje již rozsáhlé využití technologie EUV oproti klasické DUV. Jak dobře víme, EUV v případě 7nm procesů odstartovalo pomalu a opatrně. Klasický N7 nevyužívá EUV vůbec, na to tu je jeho speciální verze N7+ a i ta potřebuje EUV jen pro menší počet vrstev. Navíc jde o "sirotka", čili proces bez přímého předchůdce i následovníků, zatímco N5 jednak už bude více využívat EUV a pak jde o proces navazující na N7.
 
 
Firma už také ukázala graf, dle nějž se v rámci N5 použije méně masek než při výrobě dnešním N7, což je skutečně zásadní zvrat. Vychází se ze 16nm (nebo i 14nm) procesu, oproti němuž by N5 měl bez EUV využít 1,9násobný počet masek. Ve skutečnosti jich bude jen 1,35x více. Dle reálných počtů je to 60 masek pro 16/14nm, takže 81 masek pro N5 s EUV a 115 pro teoretický N5 bez EUV. 
 
To bude mít pochopitelný vliv jak na složitost a náročnost výroby, ale také na celkové náklady. Technologie EUV tak opravdu dorazila právě včas na to, aby už přesluhující DUV a nutný multipatterning nezpůsobil neúměrný růst cen vyráběných čipů, respektive v to můžeme doufat, ostatně právě stojíme na začátku EUV éry.