TSMC už využívá řadu technologií pokročilého pouzdření čipů, což se v podstatě vždy točí především kolem různých způsobů, jak efektivně propojit menší čipy do jednoho velkého celku. V srpnu jsme se dozvěděli, že těmto technologiím firmy TSMC můžeme souhrnně říkat 3DFabric, čili jde o Integrated Fan Out (InFO-R), Chip on Wafer (COW) a Wafer-on-Wafer (WoW) a právě i o známý Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS).
CoWoS je jednoduše technologie využívající křemíkové interposery, čili destičky s velmi hustou spletí spojů, které umožní propojení několika složitých čipů. V praxi to bývají především logické čipy jako GPU propojené s paměťmi typu HBM a právě díky oné hustotě spojů je možné využít velice široké datové rozhraní, a dosáhnout tak vysoké propustnosti.
Při vývoji CoWoS pak jde především o to, jak obejít tzv. reticle limit, čili omezení dané maximální možnou velikostí čipů, což platí právě i pro interposery. A ty musí být opravdu velké, aby mohly na sobě nést vedle logického čipu (nebo čipů) i řadu pamětí HBM a v případě nejnovější 6. generace CoWoS máme prý počítat až se 12 pouzdry pamětí HBM.
Pokud by tak šlo o 12 moderních pamětí HBM2E, mohl by čip nést až 192 GB paměti s reálnou propustností 3,6 Gb/s na pin. To nám při šířce rozhraní 12 x 1024 bitů dá celkem až 5,5 TB/s, a to je opravdu už těžko představitelný datový průvan. Nicméně je jasné, že čip s 12 paměťmi HBM2E nebude vůbec nic levného.
Aktualizace: Dle starších informací měla společnost s TSMC začít s výrobou interposerů pro 12 HBM už relativně brzy, což bylo později upřesněno na masovou výrobu od roku 2023. O brzký nástup se tak zrovna nejedná, ale aspoň tu máme už konkrétnější termín.
Zdroj: DigiTimes
.jpg)
