Už víme, že první hotové čipy od TSMC tvořené v rámci masové produkce pomocí 3nm procesu (N3) můžeme očekávat (doufejme) na začátku roku 2023, i když samotná výroba má začít už v roce 2022. Zpracování waferů 3nm procesem ale bude velice dlouhé a mluvilo se dokonce i o polovině roku, což se samozřejmě také značně podepíše na tom, kdy budou dostupné výsledné čipy. Co nového se ale dozvídáme prostřednictvím Anandtechu?
Jde o informace zveřejněné v nedávné konferenci s analytiky, které se týkají právě procesu N3, dále jeho vylepšené verze N3E (jako Enhanced) a pak i 2nm N2.
N3: Další hlavní skok ve vývoji přinese především 1,7x vyšší tranzistorovou hustotu v porovnání s N5, a to stále s využitím tranzistorů typu FinFET. Vedle toho lze očekávat až o 30 % nižší spotřebu či o 10 až 15 % vyšší výkon. Tento proces už však bude více než N5 záviset na EUVL a můžeme si být jisti, že pomocí EUV skenerů budou čipy zpracovávány na více než 14 vrstvách, což platí pro N5. Jejich počet ještě nebyl oficiálně uveden, ale mohl by být i více než dvojnásobný, čili dvojnásobné bude i využití EUV výbavy, přičemž celkový počet kroků ve výrobním procesu se má vyšplhat vysoko nad tisíc.
Zkušební výroba pomocí N3 začíná ještě v tomto roce, na tom se nic nemění a masová odstartuje někdy v druhé polovině příštího roku, ale kvůli celkově dlouhému cyklu zpracování waferů samo TSMC předpokládá, že tržby z prodeje 3nm waferů uvidí až v roce 2023.
N3P: O rok později má následovat nová verze 3nm procesu zaměřená ne na výrobu vysoce výkonných čipů, jak by se dalo tušit z jejího označení. Půjde o celkově vylepšenou verzi procesu N3 s ohledem na výkon, spotřebu i výtěžnost. A právě vylepšení výtěžnosti může být tím hlavním důvodem, proč TSMC proces N3P vůbec chystá, ostatně se šušká, že N3 na tom právě z hlediska výtěžnosti není zrovna dobře, čili tím "pravým" 3nm procesem od TSMC by mohl být právě až N3P chystaný na rok 2024.
N2: Vývoj 2nm procesu N2 se ovšem nezastaví, a ten tak má následovat již v dalším roce, čili 2025. Jak dobře víme, TSMC v jeho případě už také chce využít tranzistory GAAFET, na něž chce jako první přejít korejský Samsung už ve svém 3nm procesu.
Věc se ale měla tak, že využití GAAFET na N2 je zatím pouze záměr a ten dosud nebyl označen za konečné rozhodnutí a také jsme se dosud nedozvěděli, na kdy je N2 opravdu plánován. Nyní ale už máme alespoň potvrzen rok 2025, i když není jasné, zda se to týká začátku masové výroby, anebo už dokončení prvních waferů v rámci ní. Právě toto bude třeba do budoucna rozlišovat s tím, jak se prodlužuje celkový čas zpracování waferů pokročilými procesy. Více nám C.C Wei z TSMC neprozradil.
.jpg)
