Máme 300 metrů. Do těchto 300 metrů naskládáme 3metrové objekty. Máme jich tam 100. Teď do těch 300 metrů naskládáme 2metrové objekty. Bude jich tam 150. Dle mého názoru se jejich hustota zvýšila o 50 % ­(ze 100 na danou vzdálenost na 150­). Ano, vzdálenost­/délka se zmenšila o 33,3 %, ale změna hustoty je dána tím druhým směrem ­(základem z opačné strany­). Když zmenšíte rozměr na polovinu, pak nezvyšujete hustotu o polovinu, ale na dvojnásobek. Jasně, že takhle to nejde zjednodušovat na procesory a očekávat, že to bude přesně odpovídat rozdílu v nanometrech, ale rozdíl hustoty by se dal čekat vyšší.

Hmm, stejne je to spis marketing nez realita. A v realite kdyz se nektere casti zmensi z 3nm na 2nm, tak to vubec nemusi mit vliv na rozlozeni vseho ostatniho na cipu. Tedy treba zmensi se kapacita gate, mirne se zrychli tranzistor, ale jeho celkova plocha se zmensi jen malo.

Mmch, co ta veta:

"Podle společnosti má při stejné spotřebě nabídnout o 10 až 15 % vyšší výkon ve srovnání s 2nm procesem.­"

nema to byt spis ­"ve srovnani s 3nm procesem­" ?

Chyba, opraveno. Díky

V čipoch nič nemá veľkosť 2­-3nm.. je to marketing alebo trend v tomto obore..
Reálne majú tranzistory širky 30­-70nm, 2­-3nm by som skôr označil ako minimálnu šírku rozlíšenia ­(podobne ako pri tlačení PPI­) kde s čím menším rozlišením viete pracovať tým detailnejšie budú tranzistory ­(ako viete ich spraviť aj menšími­) ale presnosťou sa zníži možnosť že niektoré tranzistory budú skratované alebo hradlá budu v nejakom mieste príliš tenké, a tak budete obmedzený maximálnou frekvenciou a aj napätím.
Preto je aj toľko verzií rovnakeho procesu­- v jednom máte o 20% vyššiu hustotu, nižšie pracovné napatie, takty a aj spotrebu ­(silicon pre mobily, iot­) a potom procesy orientované na max takty a vysokú spotrebu ­(vačšie medzery medzi tranzistormi, vačšie tranzistory ­(napr cache­/sdram tranzistory môžu zostať menšie a hustejšie keďže sa používajú len na ukladanie dát­))

Koukam, ze co je zaklad pri pocitani procent­(ni zmeny­) asi neni jasne uplne vsem. Mozna by chtelo oprasit ucebnice ze zakladky :­-D.

Jen pro upresneni. Matematicky ROZDIL mezi 3nm a 2nm urcite neni 50%. Ale neni to ani 33%, protoze je to 1 nm ;­-­).

Pokud vsak budeme mluvit o tom, o kolik je mensi rozmer 2nm proti 3nm, coz je to o co tu jde, tak ma pravdu RadecekH. Kdyz se rozmer 3nm zmeni na 2nm, zmensi se o 1nm. A zaklad, ke kteremu musi ten rozdil 1nm pomerovat, je ten vychozi rozmer ­(3nm­) a ne vysledny rozmer ­(2nm­). A ve slusnych rodinach byva 1­/3=33,333%. Zmenseni rozmeru ze 3nm na 2nm je tedy ZMENSENI O 33%.

Kdybychom sli ze 2nm na 3nm, pomeroval by se ten rozdil 1nm ne proti trojce, ale proti dvojce ­(1­/2=50%­). Slo by o ZVETSENI rozmeru o 50%. Jenze to neni nas pripad.

A ted k hustote. Ta se meri v jednotkach kusu na jednotku plochy, ktera je ze pocita jako delka na druhou. Proto je snaha pocitat zmenu hustoty jako 1­/­(zmena delky­) a z ni vychazejici tvrzeni ­"kdyz zmensime delku na polovinu zvetsi se hustota dvakrat­" ponekud ;­-­) mimo misu.

Vezmu to nazorne. Mame ctverec o velikosti 1mm x 1mm a ten ma plochu 1mm2. Kdyz zmensim rozmer strany ctverce na polovinu bude mit ten maly ctverec rozmery 0.5x0.5 a plochu 0.25mm2 ­(1­/4­). Pocet novych ctvercu podel jedne strany puvodniho ctverce vzroste na dvojnasobek, ale pocet novych ctvercu na plose puvodniho ctverce vzroste 4x. Hustota zmensenim rozmeru na polovinu tedy nevzroste 2x, ale 4x.

Prechod ze 3nm na 2nm je zmenseni rozmeru na 66%. Plocha ctverce 1mm2 se tedy zmensi na plochu 0.66x0.66=0.44 a hustota TEORETICKY stoupne 1­/0.44=2.27x.

Jenze to by byla pravda jen, kdyby ty 3nm byl rozmer tranzistoru. A to neni. Kdysi se to tak merilo. Jenze s ti byl problem, protoze ruzne tranzistory maji ruzne rozmery. A tak se zacala kvalita litografie odvozovat od rozmeru nejtensi vyrobitelne cary, kterou lze definovat ­(i vyrobit­) pomerne snadno.

Tloustka nejtensi cary ale s velikosti prvku a tedy i hustotou transistoru souvisi jen velmi volne. Velikost slozitejsich prvku jako jsou treba ty tranzistory je omezena spoustou technologickych pozadavku. Navic musi byt mezi tranzistory spoje i volbe misto a tak je jejich hustota ovlivnena i typem obvodu, ktere je potreba vytvorit. Je vseobecne znamo, ze napr. pametove struktury skaluji s tloustkou cary hure, nez logika. Proto taky amd dela procesorove ciplety na lepsi litografii, nez ty centralni, nebo v­-cache. Cekat, ze bude hustota tranzistoru, nebo dokonce vykon obvodu skalovat stejne jako nm litografie je hodne naivni.

"Jen pro upresneni. Matematicky ROZDIL mezi 3nm a 2nm urcite neni 50%. Ale neni to ani 33%, protoze je to 1 nm ;​­-​­). ­"

To ale záleží v jakém směru to počítáte a co chcete říci. Rozdíl 3nm a 2nm je 50% i 33%. Záleží přece na tom, zda chcete říci, že 3nm je o 50 % větší než 2 nm, nebo že 2nm je o 33 % menší než 3 nm. Já jsem směr navíc ani nedefinoval, jen jsem to použil v povídání o hustotě ­(což směřuje k tomu prvnímu srovnání, ne druhému­). Pokud rozměr zmenšíte o 33 %, zvýšíte hustotu o 50 % ­(v 1D­). A o to právě šlo. Že se má hustota zvýšit o 10 %, zatímco 33% změna rozměru by intuitivně mohla nabádat k 50% změně hustoty, a to navíc jen v jednom směru ­(plošně dokonce o 125 %­).

Tohle je ostatně trik, na který se snažím upozorňovat své studenty, že se často používá v marketingu. Pokud má třeba Vaše řešení o 20 % nižší spotřebu, tak je pro Vás lepší říci, že konkurence má spotřebu o 25 % vyšší. Naopak u výkonu je pro Vás lepší říci, že Vaše řešení má o 25 % vyšší výkon, než že je konkurence o 20 % pomalejší.

"Jenze to by byla pravda jen, kdyby ty 3nm byl rozmer tranzistoru. A to neni. ­"

No však to také nikdo neříká. No nic, nechme to tak. Já to trochu upravím ­(aby bylo opravdu jasné, jak jsem to myslel, protože to očividně nikomu jasné není, takže asi chyba na mé straně ­- pak se podívejte, zda je to tak lepší a zda už konečně chápete, co jsem chtěl napsat­), nemám čas na tyto pitomé hádky. To, jak fungují procenta, co je základem, vím velmi dobře. Jen jsem prostě chtěl říci, že na to, že se nám v 1D matematicky na první pohled zvýší hustota o 50 % ­(a ve 2D vlastně o 125 %­), je 10% navýšení hustoty docela překvapivě malé.

Správne a pekne vysvetlené.

problem že to nieje linearne, lepši priklad, mame 10m2 don vložime štvorce 3x3 asi 9ks, štvorce 2x2 sa tam vmestia 25ks
Lenže skutočne nanometre su ine tie 2nm su len nadpis ale nie skutočny rozmer.

Nerad bych ti bral iluze, ale to, ze si koupis ostrejsi tuzku, kterou jde namalovat tensi cara, z tebe vetsiho Michalengala neudela ;­-­). Ostrejsi litogtafie je jen malym stripekem z***** slozite skladacky, ktera se jmenuje navrh obvodu.

Staci se podivat na amd grafiky rady 6000 a inteli arc grafiky. Jsou vyrabene na stejne litogtafii u stejne firmy, ty inteli maji dokonce vic tranzistoru a pritom jsou jejich vysledky mnohem horsi.

Nebo si vezmi 14nm a 10nm procesory od intelu. Obe litografie i navrhy obvodu delali lide ze stejne firmy a presto byly ty 14nm procesory velmi dlouho pouzitelnejsi a lepsi nez ty 10nm.

A nejsem si až tak jistý, že je 10nm opravdu ­"lepší.­" Ano, u přenosných strojů se tím dá dosáhnout značného výkonu za relativně nízké spotřeby. Ovšem výše taktované stolní procesory jsou z hlediska efektivity využití elektřiny totální průšvih a za pár set mhz se platí spotřebou pár set wattů navíc.

Neboj iluze se tu bisonovi snažilo brát už hodně lidí, ale on je imunní :D