reklama
Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

TSMC začíná s vývojem 2nm technologie

27.4.2020, Jan Vítek, aktualita
TSMC začíná s vývojem 2nm technologie
Ještě před několika lety jsme nevěděli, zda 3nm proces nebude znamenat konečnou stanici pro křemíkové čipy. Vývoj je v tomto ohledu těžko předvídatelný, ale společnost TSMC ukazuje, že je opravdu na koni a postupuje rychle dopředu.
TSMC se aktuálně může těšit z maximálního vytížení svých 7nm linek, což platí i pro kapacity pro pouzdření čipů s využitím technologie CoWoS využívající interposery a mělo by to platit také pro 5nm proces, jehož uvedení do běžného provozu očekáváme velice brzy.
 
 
Následovat bude už 3nm proces, o němž jsme se dozvěděli, že bude v TSMC (i Samsungu) zpožděn, což znamená, že nebude připraven v příštím roce, ale v roce 2022. Za tím by ale neměly stát problémy s vývojem jako takovým, ale potíže s přípravou dané nedostatkem vybavení kvůli koronaviru. Samsung má ostatně stejný problém. 
 
 
Jak ukazuje tento graf, během posledních pěti let udělala společnost TSMC obrovský kus práce a nevypadá to, že by se její tempo mělo do budoucna mírnit. Stíhá ji přitom Samsung, ovšem Intel na druhou stranu o svou technologickou nadvládu přišel a stále bojuje se zprovozněním 10nm procesu, s jehož pomocí moc čipů dosud nevyrábí a tím hlavním je stále bezesporu letitý 14nm proces. 
 
Práce na nástupci procesu N3 by v TSMC již logicky měly dávno probíhat, což nám potvrzuje server Digitimes a dle něj jde o 2nm technologii, která tak s největší pravděpodobností dostane označení N2. Tato informace vyplynula ze setkání zástupců firmy s akcionáři a prozatím nejsou známy v podstatě žádné podrobnosti. Jisté ale je, že se zde uplatní EUV litografie a také lze počítat už s tím, že namísto tranzistorů FinFET už budeme mluvit o GAAFET či MBCFET, nebo prostě o jiném názvu pro nový typ tranzistorů navržených pro maximalizaci styčné plochy kanálu a hradla. Ostatně Samsung s MBCFET počítá již v rámci 3nm technologie a u TSMC by to mohlo být podobné. 
 
Kdy ale přijde onen očekávaný konec vývoje křemíkových technologií, čili bod, za nějž už nebude možné jít? Může jít o 1 nm, ovšem s tím, že samotný atom křemíku měří 0,2 nm, takže to vypadá, že rozlišení výrobních technologií se nyní už nedostane do nižšího řádu. Jsou tu ale jiné možnosti, a to především nové způsoby pouzdření nebo v poslední době stále častěji zmiňovaný obor fotonových čipů, v nichž se namísto elektronů využívají právě fotony.


reklama