ViP
|
4.11.200313:32
Odpovědět0 0
Petr Minařík
|
4.11.200312:14
Díky za informaci pro nás laiky. Rád jsem si článeček přečetl.
Odpovědět0 0
Toom
|
4.11.200311:47
1. nepřesnost : Nevím kde, ale velmi ochotně jsem tomuto bludu propadl. Samozřejmě máte pravdu wafery jsou z čistého Si a i v druhém případě ano. SiO2 se používá určitě jako izolátor pod kovové spoje tranzistorů na chipu. Není však pravidlem že u SOI musí nutně ležet tranzistory na oxidu může to být třeba i safír viz. SOS (najděte si na netu keyword "SOI+buried oxid")
3. nepřesnost : Tu už mi prosím promiňte. Doufám, že když řeknu "brána", tak budete vědět že je to stejné jako hradlo.(Nebo si ode mě už ani pes šunku nevezme :-) )
Odpovědět0 0
Geo
|
3.11.200317:42
pres zminene preklepy jeden z nejlepsich clanku za posledni mesic. minimalne
Odpovědět0 0
Už ve škole nás učili, že Kolektor a Emitor jsou u bipolárních tranzistorů a Source s Drainem u FETů, což se tedy týká i CMOSů. Takže překládat to do terminologie bipolárů netřeba.
Odpovědět0 0
jednak se musim pridat ke krakymu, protoze ma pravdu:) pouzivame monokrystaly kremiku, nikoli kremene ;) nicmene, bylo by zajimave zjistit, jakeze jsou vlastne moznosti prechodu na radove rychlejsi technologie... kremik tu bude jeste dlouho, ale uz drahnou dobu zname radu polovodicu, ktere davaji do budoucna nadeji, ze se pohneme zas o kus dal... mezi jinymi bych videl nadejne galliumarzenid, ktery je mimo zajimavych elektrickych vlastnosti narozdil od kremiku opticky aktivni. to dalo vzniknout myslence na zajimavou technologii, kdy by se dlouhe drahy mezi komponenty systemu realizovaly opticky. procesor samotny ma pak charakter sendvice; signal se meni v GaAs vrstve, ktera slouzi vlastne jako integrovany prevodnik, odkud jsou data posilana na Si vrstvy vyrobene klasickou technologii (coz se samozrejme v budoucnu muze zmenit, tento navrh vychazi z co nejefektivnejsiho vyuziti pokrocilych vyrobnich technologii dostupnych dnes a v blizke budoucnosti). materialy by mely mit minimalni rozdily v tepelne roztaznosti, takze se cipy nebudou vylozene rozpadat:) vidim to jako docela zajimavy krok k celkove "kvantizaci" pocitace, ktere se casem snad dockame, at uz s kvantovym entanglementem nebo bez:)))
Odpovědět0 0
Bobek
|
4.11.200318:42
Vypadá to, že tomu tady někdo rozumí, proto položím pololaickou otázku - nemůže být s GaAs trochu problém kvůli vyššímu napětí potřebnému k otevření tranzistoru? Díky za fundovanou odpověď.
Odpovědět0 0
id2
|
5.11.200318:37
Proc se pouzivaji kulate wafery? Neni logictejsi mit proste ctvercovy tvar z ktereho se pak jednotlive procesory strihaji?
K te vyrobe, to tedy je placka kremiku na ktery se sviti s nejakym filtrem a tam kde se posviti diky tomu filtru je kanal, tranzistor a podobne, nebo jak?
Nekde jsem cetl, ze treba ten nebo onen procesor ma odber 70A. Jak muze tect v tak malych spojich, tak velky proud?
Odpovědět0 0
Je to prosté, bylo by fajn mít čtvercové wafery. Bohužel tyhle wafery jsou řezány diamantovými pilami z monokrystalu křemíku a ještě nikdo na světě nepřišel na to, jak je dělat čtvercové. Takže je při osvitu po okrajích spousta odpadu.
Co se týče produ jedná se o problém odvodu tepla, které vzniká při protékání proudu vodičem. Říká se mu joulovo teplo a čím mají vodiče menší odpor, tím méně tepla se vyrobí a musí odvádět. proto se nedávno nahradil hliník mědí.
Odvod tepla je skutečný problém, protože výkonová hustota je už fakt obrovská. Vezměte si třeba čip s plochou 200mm čtverečních a 100W výkonu, pak máte 50W na centimetr čtvereční. Když to srovnáte třeba s kamnama na uhlí, které mají celkový tepelný vákon 9kW a předpokládali bychom, že se celý výkon vyzáří plotýnkou nahoře o rozměrech 30x30cm = 900cm čtverečních, tak máme na plotýnce výkonovou hustotu 10W na centimetr čtvereční. Teď si představte kamna rozfajrovaný pěkně do červena vynásobte to pěti a máte přibližně poměry který je potřeba dneska chladit.
Odpovědět0 0
Kraky
|
3.11.20039:59
Nebýt některých technologických nepřesnostíí, byl by článek dobrej.
První větší nepřesnost - prvWafer není SiO2, ale monokrystaklický Si
Druhá větší nepřesnost - v odstavci o SOI maá být že "..celou tranzistorovou strukturu ne přímo na Si , ale na tenkou vrstvičku izolátoru SiO2"
Drobnost - Gate se většinou do češtiny překládá jako Hradlo, nikoliv brána
Odpovědět0 0
jirikxyz
|
3.11.200313:56
souhlas, opakovanou zamenu Si za SiO2 povazuju za dost podstatnou chybu, autor by si to mel opravit. jinak celkem dobry clanek
Odpovědět0 0
