Intel chce do pěti let přejít na nové tranzistory MBCFET

Vypadá to, že Intel, který byl průkopníkem tranzistorů FinFET čili v jeho případě 3D Tri-Gate, asi nebude první, kdo v praxi nasadí nové tranzistory, jež můžeme označit jako GAAFET či z nich odvozené MBCFET. Jde přitom zvláště o MBCFET, na něž výrobci cílí a GAAFET můžeme brát jen jako vývojový mezistupeň, takže řeč bude právě především o MBCFET, čili Nanosheet. Ty ale vycházejí ze stejného nápadu jako GAAFET, kde GAA znamená Gate All Around, čili hradlo, které už obepíná celý kanál či kanály. MBCFET to celé vylepšují tím, že umožní zvolit šířku kanálů, a tím i ladit výkon a celkové vlastnosti výsledného tranzistoru, což ovlivní i celkový počet kanálů nad sebou. 

 

 

CTO Intelu Mike Mayberry na konferrenci VLS s podtitulem ‘The Future of Compute’ promluvil právě o budoucnosti výrobních technologií Intelu a hlavní zpráva zněla, že ten by měl přejít na nový typ tranzistorů do pěti let, což znamená jejich zavedení do běžné výroby. To ovšem znamená, že Intel asi opravdu nebude první a ve skutečnosti by měl spíše zaostávat, ostatně Samsung slíbil MBCFET na rok 2022 a TSMC na tom nebude moc odlišně. Je také třeba poznamenat, že onen horizont pěti let je pouze jakýsi osobní odhad Dr. Mayberryho a nejde o nic, co by vycházelo z oficiálních roadmap Intelu. 

 

 

Od Intelu tu také máme jeho vlastní kus prezentace, který ukazuje i rozměry výsledných kanálů s výškou 7nm a šířkou 12 nm. 

 

slide z konference SPIE (září 2019)