Intel má připraveny k produkci Embedded MRAM založené na FinFET

O pamětech MRAM jsme naposledy psali v roce 2018 v souvislosti se společností Everspin. Jejich označení mluví o magnetorezistivních pamětech s libovolným přístupem, přičemž ty slibují výkon srovnatelný s obvyklými DRAM, ale rovněž stálost, čili schopnost udržet informaci i bez potřeby neustálého napájení. To je od DRAM jasně odlišuje a pokud by byla k dispozici rovněž slušná paměťová hustota za odpovídající ceny, mohli bychom tím získat paměti o výkonu DRAM, které by se daly využít pro dlouhodobé ukládání dat, což není nic jiného než pomyslný svatý grál paměťových technologií, ale to je zatím spíše utopie.

 

Zajímavé by ale byly i MRAM nahrazující DRAM na paměťových modulech DIMM a podobných, díky čemuž by se počítače nemusely uspávat/hibernovat stejným způsobem jako dnes. Mohly by se v podstatě okamžitě vypnout a po zapnutí být ihned připraveny ve stavu, v jakém jsme je opustili. 

 

 

Od serveru EETimes se přitom dozvídáme, že MRAM v podání Intelu už mají být připraveny k výrobě ve velkém, i když dle prvního obrázku to rozhodně nevypadá na vysokou paměťovou hustotu, když si čteme o celkem 56 megabitech MRAM. 

 

 

Paměti MRAM slibují s ohledem na výrobní technologie mnohem lepší škálování než DRAM i NAND Flash a právě v porovnání s NAND Flash mají dosahovat mnohem vyšších rychlostí zápisu, a to i tisíckrát. 

 

 

Co se týče výdrže, inženýr Intelu Ligiong Wei mluví o schopnosti udržet informaci po dobu 10 let i při 200 °C a výdrž 1.000.000 přepínacích cyklů, což se konkrétně týká pamětí MRAM vyráběných 22nm technologií s bitovou výtěžností 99,998 %. Intel sice uvádí 22nm technologii, ale jinde se dozvíme o "uvolněném" 14nm procesu, čili jinými slovy 14nm technologii nehnané na kraj jejích možností, ale naopak přizpůsobené tomu, aby poskytovala spíše vysokou výtěžnost.

 

A kde by se měly paměti MRAM uplatnit? EETimes mluví o zařízeních spadajících do kategorie Internetu věcí. Vedle toho také Intel v jiném dokumentu popsal svůj vývoj pamětí ReRAM (Resistive RAM), coby nízkonákladového řešení pro využití opět coby stálých pamětí, a to v SoC pro zařízení Internetu věcí a pro automotive. 

 

Zdroj: EETimes