reklama
Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

Intel uvolňuje další informace o 45nm procesorech Penryn

27.1.2007, Milan Šurkala, aktualita
Intel uvolňuje další informace o 45nm procesorech Penryn
Někdy v druhé polovině tohoto roku se dočkáme nových 45nm procesorů společnosti Intel. Bude se jednat o die-shrink čipu Conroe (architektura Intel Core, 65nm výroba, 4MB L2 cache), samozřejmě s několika dalšími vylepšeními. 45nm die-shrink...
Někdy v druhé polovině tohoto roku se dočkáme nových 45nm procesorů společnosti Intel. Bude se jednat o die-shrink čipu Conroe (architektura Intel Core, 65nm výroba, 4MB L2 cache), samozřejmě s několika dalšími vylepšeními. 45nm die-shrink postihne samozřejmě i mobilní čipy a serverové.



Dvoujádrový Penryn totiž bude mít neuvěřitelných 410 milionů tranzistorů. Oproti nový DX10 grafickým čipům je to sice stále poměrně málo, ale vzhledem k ostatním dnes běžně vyráběným procesorům (nepočítejme například serverové Montecito s 18MB L3 cache, které má rovnou čtyřnásobek), je to opravdu dost. Dnešní Core 2 Duo má například 293 milionů tranzistorů.

Asi je patrné, že tady něco nehraje, pokud by mělo jít o pouhý die-shrink čipu Conroe, měl by i počet tranzistorů zůstat totožný. Vtip je v tom, že Penryn bude obsahovat 6MB L2 cache místo nynějších 4MB. Plocha čipu tak nebude poloviční, ale asi přibližně dvoutřetinová. Quad-core verze Penrynu by pak mohla mít až 820 milionů tranzistorů a 12MB L2 cache.

Problémem moderních procesorů je velmi tenká vrstva dielektrika, ta má u 65nm procesorů tloušťku pouze 1,2nm, což odpovídá pěti vrstvám molekul SiO2! Pokud si vzpomenete, 90nm procesory Prescott měly s tímto velké problémy, úniky proudu (current leakage) zde byly dosti vysoké. Výsledkem je vyšší spotřeba i zahřívání procesoru.



Tenkou vrstvičku SiO2 nahradili u Intelu vrstvou high-k dielektrika, které si díky nekompatibilitě s křemíkovým hradlem vyžádalo nové hradlo z jiných materiálů. Celkově se tato technologie označuje jako "high-k + metal gate". Díky těmto vylepšením by se úniky proudu měly dostat na pětinovou hodnotu, tranzistory by se měly zrychlit o 20%, přičemž spotřeba při jejich přepínání by měla klesnout o 30%.

V neposlední řadě tu bude ještě jedno další vylepšení. A tím jsou nové SSE4 instrukce. Diskutabilní je jejich podpora ze strany vývojářů, protože dnes je de facto standardem podpora SSE2 (vše od AMD K8 a Intel Netburst), SSE3 je podporováno až od jádra AMD Venice a Intel Prescott. Připomeňme, že nové Core 2 Duo má navíc 32 instrukcí SSSE3 (Supplemental SSE3), SSE4 bude obsahovat soubor dalších cca 50 instrukcí.

Nové 45nm procesory by se měly objevit v druhé polovině tohoto roku, na výrobu jsou připravovány továrny Fab D1D (Oregon), Fab 32 (Arizona) a od roku 2008 bude k dispozici i Fab 28 (Izrael). Spotřeby TDP by měly zůstat totožné, tedy 65W pro desktopové procesory, 35W pro mobilní, 80W pro serverové a 130W pro high-endové quad-core čipy. Dá se ale předpokládat, že spotřeba v praxi bude o něco nižší než je dnes. V roce 2008 se pak můžeme těšit na novou architekturu Nehalem.

Zdroj: www.dailytech.com, www.bit-tech.net, www.tgdaily.com
Autor: Milan Šurkala
Vystudoval doktorský program v oboru informatiky a programování se zaměřením na počítačovou grafiku. Nepřehlédněte jeho seriál Fotíme s Koalou o základech fotografování.


Zprávy Google - zde můžete nastavit sledování magazínu Svět hardware.
reklama
reklama