Vědci z MIT a Stanford University vyvinuli 3D CPU s vlastní RAM pamětí

Dnešní počítače mají jeden nepříjemný problém v propojení CPU a paměti RAM, které jsou při mnohých výpočtech úzkým hrdlem celého systému. Vědci ze Stanford University a MIT přišli se způsobem, jak tento neduh odstranit. Prototyp nového čipu kombinuje 2D vrstvy grafenu do podoby nanotrubiček a rezistivní RAM (RRAM) buňky. Vrstvením tak vytváří 3D strukturu. RRAM je non-volatilní paměť, která pracuje na principu změny odporu pevného dielektrika a RAM paměť je vlastně přímo v procesoru.

 

 

Prototyp obsahoval 2 miliony uhlíkových nanotrubiček a jeden milion RRAM buněk. Podobná architektura by nebyla možná s klasickými technologiemi využívající křemík, přičemž jedním z problémů je např. vysoká teplota při výrobě čipů. Budování další vrstvy by kvůli teplotám přes 1000 °C mohlo poškozovat spodní vrstvy. U nanotrubiček stačí jen zhruba okolo 200 °C. Výhodou nového řešení může být vedle vyšší rychlosti také znatelně vyšší energetická efektivnost.

 

Řešení se dá využít i k výrobě senzorů. Vědci např. na vrchní vrstvu umístili další milion senzorů na bázi uhlíkových trubiček, které byly schopny klasifikovat okolní plyny. Nepočítejme však, že by se podobné čipy mohly objevit v blízké době. Tomu brání problémy s výrobou jak uhlíkových nanotrubiček, tak i RRAM buněk v takovém množství, že by to mohlo stačit na dostatečně levnou a efektivní výrobu použitelných procesorů.

 

Zdroj: extremetech.com, mit.edu