www.svethardware.cz
>
>
>
>
>
>

Moderní výrobní procesy: trubkovité tranzistory přichází

Moderní výrobní procesy: trubkovité tranzistory přichází
, , článek
IBM se chystá spustit další revoluci ve výrobních procesech čipů, a to podobnou, jakou si připravil Intel při představení prvních tranzistorů Tri-gate před šesti lety. Tehdy ještě šlo o 22nm technologii, která zajistila jeho náskok, ale nyní už jde o 5 nm.



reklama
Už mnoho let jsme zvyklí označovat výrobní procesy s využitím toho, v jakém rozlišení je možné tvořit výsledné prvky jako tranzistory a nezbytné elektrické spoje. Od konce osmdesátých let už tak mluvíme o rozlišení v řádu nanometrů a ne mikrometrů a postupně se blížíme k jednotkám nanometrů, respektive tato doba už je tu. Na trhu sice ještě nejsou procesory nebo grafické čipy tvořené menší než 10nm technologií, ale výrobní procesy už budou pomalu připraveny.

 
Intel 486 DX2 byl tvořen právě 800nm výrobním procesem

Ve skutečnosti ale zdaleka nejde pouze o nanometry, respektive rozlišení. Je také velice důležité, co se v takovém rozlišení tvoří, z jakých materiálů a jakými postupy, což výsledně určuje i počet tranzistorů umístěných na dané ploše, rychlost jejich přepínání, proudové ztráty a prostě celkový výkon i ostatní vlastnosti čipů. Nevyhnutelně se přitom přibližujeme samotné atomární struktuře materiálů, však takový atom mědi má průměr kolem 130 pikometrů, čili 0,13 nm. Do 5nm rozlišení se tak vejde asi 38 atomů mědi.
 
 
Moderní Intel Core i9 už je 14nm procesor
 
My se však dnes nebudeme věnovat spíše modernějším výrobním technologiím a začneme právě šest let starou revolucí, kterou zařídil Intel se svou 22nm výrobní technologií. Právě ta přinesla tranzistory Tri-gate, jejichž kanály vedoucí skrz přepínací bránu vyrostly do třetího rozměru a my dnes o takových souhrnně mluvíme jako o FinFET. Postupně se od nich přesuneme až k další generaci, která se zatím označuje za GAAFET, neboť vyplývá z technologie Gate All Around.
 
 
Máme tak souhrnně na mysli unipolární tranzistory řízené elektrickým polem (FET - Field Effect Transistor), kde nemluvíme o bázi, kolektoru a emitoru jako u bipolárních, ale o gate, drain a source. Jde tak o bránu či hradlo a opět elektrody kolektor a emitor. I v českých publikacích se ale běžně používají anglické názvy pro části tranzistorů FET.
reklama
Nejnovější články
Intel X299 je prý "VRM katastrofa" Intel X299 je prý "VRM katastrofa"
Německý overclocker der8auer se opět ozval a tentokrát si vzal na mušku platformu Intel X299, jejíž desky označil za úplnou "VRM katastrofu". Viní tím samotný Intel i výrobce desek, a to z uspěchaného nástupu platformy. 
Dnes,  aktualita, Jan Vítek
AMD Radeon Vega Frontier Edition a první testy AMD Radeon Vega Frontier Edition a první testy
Nové AMD Radeon Vega Frontier Edition se už dostávají mezi lidi, neboť vzduchem chlazená verze v ceně 999 dolarů už byla představena, a tak se můžeme podívat na to, jak vypadá i jaký výkon nabízí. 
Dnes,  aktualita, Jan Vítek
Windows 10 Fall Creators Update se spolehne na AI zabezpečení Windows 10 Fall Creators Update se spolehne na AI zabezpečení
Windows 10 Fall Creators Update je druhá velká aktualizace tohoto systému, která přijde, jak už je z jejího označení jasné, někdy na podzim. Microsoft se nyní na svém blogu rozpovídal o tom, co plánuje ohledně jejího zabezpečení. 
Dnes,  aktualita, Jan Vítek
WD ukázal 96vrstvé NAND Flash se 4 bity na buňku WD ukázal 96vrstvé NAND Flash se 4 bity na buňku
Namísto Toshiby na sebe vzal představení nových pamětí BiCS už její partner Western Digital, který se pochlubil něčím velice zajímavým. Jde o paměti NAND Flash s 96 vrstvami, které jsou navíc vybaveny buňkami QLC. 
Dnes,  aktualita, Jan Vítek
3D tisk pomůže postavit most pro cyklisty 3D tisk pomůže postavit most pro cyklisty
Technologie 3D tisku pronikla už i do stavebnictví. Kromě budov se tímto způsobem dá postavit ale i most například pro cyklisty. Na takovém projektu pracuje tým z Eindhoven University of Technology v Nizozemsku. 
Včera,  aktualita, Kateřina Hoferková