Už mnoho let jsme zvyklí označovat výrobní procesy s využitím toho, v jakém rozlišení je možné tvořit výsledné prvky jako tranzistory a nezbytné elektrické spoje. Od konce osmdesátých let už tak mluvíme o rozlišení v řádu nanometrů a ne mikrometrů a postupně se blížíme k jednotkám nanometrů, respektive tato doba už je tu. Na trhu sice ještě nejsou procesory nebo grafické čipy tvořené menší než 10nm technologií, ale výrobní procesy už budou pomalu připraveny.
Intel 486 DX2 byl tvořen právě 800nm výrobním procesem
Ve skutečnosti ale zdaleka nejde pouze o nanometry, respektive rozlišení. Je také velice důležité, co se v takovém rozlišení tvoří, z jakých materiálů a jakými postupy, což výsledně určuje i počet tranzistorů umístěných na dané ploše, rychlost jejich přepínání, proudové ztráty a prostě celkový výkon i ostatní vlastnosti čipů. Nevyhnutelně se přitom přibližujeme samotné atomární struktuře materiálů, však takový atom mědi má průměr kolem 130 pikometrů, čili 0,13 nm. Do 5nm rozlišení se tak vejde asi 38 atomů mědi.
Moderní Intel Core i9 už je 14nm procesor
My se však dnes nebudeme věnovat spíše modernějším výrobním technologiím a začneme právě šest let starou revolucí, kterou zařídil Intel se svou 22nm výrobní technologií. Právě ta přinesla tranzistory Tri-gate, jejichž kanály vedoucí skrz přepínací bránu vyrostly do třetího rozměru a my dnes o takových souhrnně mluvíme jako o FinFET. Postupně se od nich přesuneme až k další generaci, která se zatím označuje za GAAFET, neboť vyplývá z technologie Gate All Around.
Máme tak souhrnně na mysli unipolární tranzistory řízené elektrickým polem (FET - Field Effect Transistor), kde nemluvíme o bázi, kolektoru a emitoru jako u bipolárních, ale o gate, drain a source. Jde tak o bránu či hradlo a opět elektrody kolektor a emitor. I v českých publikacích se ale běžně používají anglické názvy pro části tranzistorů FET.
