Organický memristor stanovil rekord rychlosti a výdrže

Teoreticky byl memristor popsán už na začátku 70. let, ovšem na praktické využití stále čekáme. Jde o čtvrtý základní prvek elektronických obvodů doplňující již dobře známou a široce využívanou trojici rezistor, kapacitor a induktor. Označit jej pak můžeme za proměnný odpor, který tak sdílí vlastnosti odporu a pamětí nezávislých na neustálém napájení, což jsou třeba také NAND Flash. Elektrický odpor tak není konstantní, ale závislý na tom, jaký náboj memristorem prošel předtím, a právě tento odpor může být využitý pro uložení informace. 

 

Pokud by se tak koncept memristoru dotáhl do praxe, mohly by takové paměti nahradit dnešní RAM s tím, že by už nebylo třeba je napájet, což by mělo velký dopad na spotřebu počítačů i způsob jejich využití. 

 

wafer s memristory od HP

 

Vyvíjené memristory v laboratořích selhávaly z různých důvodů. Často byly příliš pomalé, takže změna odporu v nich probíhala zdlouhavě, nebo si svou paměť nedokázaly uchovat moc dlouho poté, co byly odpojeny od napájení. Nové organické memristory vyvinuté na National University of Singapore však mají v obou těchto disciplínách excelovat a konkrétně umí změnit svůj stav během 50 ns, což je srovnatelné s klasickými tranzistory a také umí bez napájení udržet informaci po dobu alespoň 11 dní. 

 

Složení nových organických memristorů je skutečně exotické. Využívají přechodný kov ruthenium a jisté "azo-aromatické ligandy", přičemž příslušná teorie byla vytvořena na univerzitě Yale a organické molekuly byly syntetizovány v ústavu Indian Association for the Cultivation of Sciences. Výsledné memristory jsou i přes využití organického materiálu velice stabilní a nevykazují žádnou degradaci ani po 10¹² pracovních cyklů. Navíc má být materiál pro jejich tvorbu levný a jednoduchý na výrobu a využívají se pro to už známé a používané technologie. 

 

Z toho všeho to vypadá, že paměti založené na memristorech by mohly být za dveřmi, ale takových průlomu jsme tu měli už mnoho. Zde je jasné, že cesta z laboratoří na trh bude ještě dlouhá, pokud nějaká taková vůbec vznikne. Důsledky by totiž mohly být dalekosáhlé, neboť memristory by mohly nahradit tradiční DRAM i NAND Flash a v podstatě i všechny novější paměťové technologie jako 3D XPoint. Však si představme, jakou revoluci v IT by zařídily stálé (non-volatile) paměti o výkonu DRAM a kapacitě, která v případě vícevrstvého designu může dosáhnout hustoty 1 petabajtu na kubický centimetr. A také jaký odpor by vyvolaly u firem, které aktuálně mohutně investují právě do klasických technologií. 

Zdroj: Extremetech