Samsung: 3nm výrobní proces 3GAE je na cestě, následovat bude 3GAP

Plány společnosti Samsung odhaluje vyfocená roadmap z Foundry Forum 2021, která jasně ukazuje slíbený přechod z tranzistorů FinFET na typ GAAFET či dle Samsungu MBCFET (multi-bridge channel field-effect transistor). Zajímavé je přitom to, že tato technologická roadmap neukazuje proces 3GAE (E jako Early), který má být chystán už na příští rok. 

 

 

Je tak možné, že proces 3GAE bude velice málo významný, co se týče výroby, anebo spíše nebude nabízen žádné jiné firmě než vlastním divizím. Samsung jej ovšem nezrušil, jak potvrdil serveru Anandtech. Nelze ale přehlédnout že verze E starších procesů v této roadmapě stále jsou. 

 

V každém případě 3GAE má dle ujištění Samsungu přijít v příštím roce a o rok později už to bude 3GAP (P jako Plus), přičemž rok 2023 se týká již masové výroby, ne zkušební či "risk production". 

 

Samsung původně představil své 3nm procesy už v roce 2019, kdy slíbil masovou výrobu pomocí 3GAE už na konec tohoto roku, ale poté byl odložen a nyní se navíc dozvídáme, že asi nebude k dispozici všem. Tehdy firma také uváděla, že máme obecně očekávat oproti 7LPP o 35 % vyšší výkon, 50% snížení spotřeby a o 45 % vyšší hustotu tranzistorů. 

 

Máme tu také ještě jednu novinku, a sice nový proces 4LPP, který ještě bude používat tranzistory FinFET, který Samsung společně se 4LPE pokládá za zcela samostatnou větev oddělenou od 7nm a 5nm procesů, jak ukazuje roadmap i následující obrázek. 

 

 

Nevíme ovšem, jak moc se mají 4nm procesy Samsungu lišit od předchozích, a to právě z hlediska tranzistorové hustoty, výkonu a spotřeby. Mají ovšem nastoupit již letos.