reklama
Recenze  |  Aktuality  |  Články
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty
Chlazení a skříně
Ostatní
Periférie
Procesory
Storage a RAM
Základní desky
O nás  |  Napište nám
Facebook  |  Twitter
Digimanie  |  TV Freak
Svět mobilně  |  Svět audia

Samsung brzy odstartuje výrobu na svém prvním 3nm procesu

, , aktualita
Samsung brzy odstartuje výrobu na svém prvním 3nm procesu
Společnost Samsung se chystá ještě v tomto kvartálu spustit masovou výrobu čipů pomocí první verze svého 3nm procesu. To znamená i první nasazení tranzitorů MBCFET, čili nového typu nastupujícího po FinFET. 
Samsung brzy odstartuje výrobu na svém prvním 3nm procesu
Samsung by tak měl dříve než TSMC uvést do provozu 3nm proces, i když tu pochopitelně tímto srovnáváme do velké míry jen marketingová označení, čili mezi 3nm procesy firem TSMC a Samsung nelze dávat rovnítko. Samotný Samsung ostatně nenabídne jen jednu verzi tohoto procesu a jako obvykle začíná s označením Early, čili v tomto případě 3GAE - 3nm Gate All-Around Early. 
 
 
Termín Gate All-Around (GAA) zde přitom označuje samotné tranzistory a jedná se o o jiné a řekněme běžné pojmenování tranzistorů, kterým Samsung jinak říká MBCFET (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor). MBCFET totiž lépe vystihuje ten fakt, že jde již o evoluci GAA či GAAFET, kde se již počítá s využitím širokých kanálů vedoucích skrz hradla, které mají větší styčnou plochu. A jak ukazuje následující obrázek, jiné označení pro ně je Nanosheet. 
 
 
3nm procesy mají dle Samsungu oproti 7nm FinFET nabídnout až o polovinu nižší spotřebu, o 30 procent vyšší výkon a o 45 procent nižší plochu stejně složitého čipu, který tvoří mix logických obvodů a paměti SRAM. Ale jak dobře víme, v případě konkrétních čipů určených pro trh může jít o výrazně odlišná čísla.  
 
Záležet bude navíc i na provedení tranzistorů MBCFET, jejichž vlastnosti mohou být cíleně ovlivněny šířkou kanálů. Jednoduše řečeno, pokud je zapotřebí vysoký výkon, vytvoří se širší a pro nižší spotřebu zase užší. Celková plocha takového tranzistoru může být obecně až o 30 procent menší, pokud budeme srovnávat s FinFET, jak uvádí Applied Materials
 
Právě méně výkonné a úspornější MBCFET by měl logicky využívat proces 3GAE, neboť verze Early využívá Samsung obvykle pro své účely a výrobu mobilních čipů. Tomu odpovídá i informace, že 3GAE chce využít především Samsung LSI vyvíjející SoC především pro telefony, tablety a další elektroniku. 
 
Brzy tak budeme moci (snad) sledovat, jak se Samsungu provede tento důležitý krok, a to právě vzhledem k přechodu na nový typ tranzistorů, které oproti vertikálním FinFET nemají zrovna jednoduchou strukturu. Samsung tu tak může získat oproti TSMC a Intelu jistý náskok, pokud tedy bude mít jeho 3GAE a pozdější 3GAP (už pro výkonnější a žravější čipy) potřebnou výtěžnost.  


reklama
reklama
reklama