Samsung by tak měl dříve než TSMC uvést do provozu 3nm proces, i když tu pochopitelně tímto srovnáváme do velké míry jen marketingová označení, čili mezi 3nm procesy firem TSMC a Samsung nelze dávat rovnítko. Samotný Samsung ostatně nenabídne jen jednu verzi tohoto procesu a jako obvykle začíná s označením Early, čili v tomto případě 3GAE - 3nm Gate All-Around Early.
.jpg)
Termín Gate All-Around (GAA) zde přitom označuje samotné tranzistory a jedná se o o jiné a řekněme běžné pojmenování tranzistorů, kterým Samsung jinak říká MBCFET (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor). MBCFET totiž lépe vystihuje ten fakt, že jde již o evoluci GAA či GAAFET, kde se již počítá s využitím širokých kanálů vedoucích skrz hradla, které mají větší styčnou plochu. A jak ukazuje následující obrázek, jiné označení pro ně je Nanosheet.
3nm procesy mají dle Samsungu oproti 7nm FinFET nabídnout až o polovinu nižší spotřebu, o 30 procent vyšší výkon a o 45 procent nižší plochu stejně složitého čipu, který tvoří mix logických obvodů a paměti SRAM. Ale jak dobře víme, v případě konkrétních čipů určených pro trh může jít o výrazně odlišná čísla.
Záležet bude navíc i na provedení tranzistorů MBCFET, jejichž vlastnosti mohou být cíleně ovlivněny šířkou kanálů. Jednoduše řečeno, pokud je zapotřebí vysoký výkon, vytvoří se širší a pro nižší spotřebu zase užší. Celková plocha takového tranzistoru může být obecně až o 30 procent menší, pokud budeme srovnávat s FinFET, jak uvádí Applied Materials.
Právě méně výkonné a úspornější MBCFET by měl logicky využívat proces 3GAE, neboť verze Early využívá Samsung obvykle pro své účely a výrobu mobilních čipů. Tomu odpovídá i informace, že 3GAE chce využít především Samsung LSI vyvíjející SoC především pro telefony, tablety a další elektroniku.
Brzy tak budeme moci (snad) sledovat, jak se Samsungu provede tento důležitý krok, a to právě vzhledem k přechodu na nový typ tranzistorů, které oproti vertikálním FinFET nemají zrovna jednoduchou strukturu. Samsung tu tak může získat oproti TSMC a Intelu jistý náskok, pokud tedy bude mít jeho 3GAE a pozdější 3GAP (už pro výkonnější a žravější čipy) potřebnou výtěžnost.
.jpg)
