Společnost Samsung čelí velmi vysoké pokutě 400 milionů dolarů za porušení patentu na FinFET technologii. Pokuta by ale kvůli záměrnému porušení mohla být i třikrát tak vyšší a přesáhla by miliardu dolarů.
Samsung to v poslední době u soudů nemá zrovna lehké. Minulý měsíc mu bylo nařízeno zaplatit téměř 540 milionů dolarů Applu za porušení patentů a nyní to bude dalších 400 milionů dolarů pro KAIST IP US (Korea Advanced Institute of Science and Technology). Taková totiž bude pokuta a částka, kterou zaplatí texaskému institutu jihokorejské univerzity za porušení patentu na FinFET technologii. Soudce navíc řekl, že kvůli záměrnosti prohřešku by částka mohla být až třikrát vyšší a dosáhnout 1,2 miliardy dolarů.
Stejného prohřešku se dopustily i společnosti Qualcomm a GlobalFoundries, ty ale od soudu vyvázly bez pokuty. Podle univerzity se Samsung chtěl nejprve FinFET technologii vyhnout, neboť ji považoval za bláznivý výstřelek. Názor ale změnil poté, co si FinFET licencoval Intel. Samsung se naopak bránil tím, že FinFET s univerzitou společně vyvíjel a současně napadl platnost samotného patentu. Rovněž zvažuje odvolání proti pokutě. Technologii FinFET najdeme zejména v mobilních procesorech, kde zvyšuje výkon a současně snižuje spotřebu.
