reklama
Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

Samsung HBM2E: 410 GB/s v jednom pouzdře

20.3.2019, Jan Vítek, aktualita
Samsung HBM2E: 410 GB/s v jednom pouzdře
NVIDIA se stále zdráhá na svých herních kartách nasadit paměti typu HBM a možná že ji k tomu přesvědčí nové HBM2E, které má k dispozici Samsung. Tyto paměti nabízí především vyšší propustnost, a dostaly tak příhodné označení Flashbolt. 
Samsung pojmenoval svou první generaci pamětí HBM jako Flarebolt a my jsme na ně mohli narazit na Radeonech s čipy Fiji. Tehdy ale ještě šlo v porovnání s dnešní dobou o nesmělý začátek. Paměti byly omezeny kapacitou 1 GB na pouzdro, takže výkonné Radeony R9 Fury, Fury X a Nano měly pouze 4 GB paměti, zatímco slabší Radeon R9 390X měl díky GDDR5 paradoxně 8 GB paměti. Výhoda tkvěla ve vysoké propustnosti dané velice širokým 4096bitovým rozhraním, které více než vyrovnalo nevýhodu nízké propustnosti na pin, a sice jen 1 Gb/s, což dávalo celkem 512 GB/s. 
 
 
To nebylo na svou dobu vůbec špatné, ale to pravé stejně přišlo až s paměťmi HBM2, které už odstranily nízký strop kapacity a navýšily i propustnost. Nastoupily karty RX Vega, ale i kvůli problémům s vývojem HBM2 přišly tyto karty později, než měly a nedosáhly dříve slibované propustnosti 2 Gb/s na pin. Bylo to pouze 1,89 Gb/s, což v kombinaci s poloviční šířkou sběrnice kvůli použití dvou pouzder namísto čtyř přineslo i nižší celkovou propustnost oproti kartám Fury. Nicméně 484 GB/s ani tak není málo. 
 
Nyní tu máme Radeony VII, které přinesly již to, v co jsme mohli doufat v době nástupu karet RX Vega. HBM2 konečně dosáhly propustnosti 2 Gb/s na pin a když to zkombinujeme se čtyřmi čipy, získáme výslednou propustnost 1 TB/s a navíc 16 GB kapacity. Paměťový systém Radeonů VII je tak oproti dnešním GeForce mnohem lepší, ale tomu ve hrách není moc platné, stejně jako jeho vysoký výpočetní výkon. 
 
Samsung nyní na GPU Technology Conference (GTC) představil paměti HBM2E zvané Flashbolt, které jsou dle techPowerUp i Guru3D o 33 procent výkonnější než HBM2, což představuje konkrétních 3,2 Gb/s na pin. HBM2 totiž mají ve svých specifikacích i propustnost 2,4 Gb/s na pin. 
 
To znamená, že jedno pouzdro s HBM2E může nabídnout propustnost 410 GB/s, která by pohodlně stačila pro dnešní vyšší mainstream grafických karet a dvě by byla více než dost i pro hi-end. Z hlediska kapacity je také pro jedno pouzdro maximum 16 GB, takže v tomto ohledu by stačila pro dnešní karty klidně polovina. 
 
Samsung uvádí, že paměti Flashbolt se uplatní v budoucích produktech pro datová centra, AI, strojové učení a grafické aplikace. Jinými slovy půjde především o akcelerátory a grafické karty. 
 
 
Zdroj: techPowerUpGuru3D 


reklama