Samsung poráží TSMC: zahájil dodávky prvních 3nm GAA čipů

Samsung zahájil výrobu prvních 3nm GAA čipů na konci června a nyní oznámil, že zahájil i jejich dodávky. Ty zamíří nejprve k zákazníkům pro HPC nasazení, což mnozí budou nést s nelibostí. Tím nasazením je totiž těžba kryptoměn, která se díky tomuto stane výrazně efektivnější. Samsung totiž tvrdí, že nové čipy vyráběné pomocí 3nm GAA (Gate-All-Around) ve srovnání s 5nm procesem přináší o 45 % nižší spotřebu, resp. o 23 % vyšší výkon. Druhá generace procesu 3nm GAA by měla tato čísla posunout dokonce na 50 %, resp. 30 %.

 

 

Samsung tak překonal konkurenční TSMC nejen v prvních dodávkách čipů vyrobených 3nm procesem, ale i tím, že použije technologii GAA, zatímco TSMC zůstane pro 3nm proces i nadále u technologie FinFET. Slavnostní ceremonie se konala ve Hwaseong Campusu v provincii Kjonggi (později budou produkovány i v Pyeongtaek Campusu). Zatímco nyní se pomocí procesu vyrábí čipy pro těžbu kryptoměn, mobilní procesory by na sebe neměly nechat dlouho čekat (např. Samsung Exynos 2300, možná Qualcomm Snapdragon 8 Gen2).

 

Zdroj: phonearena.com, samsung.com