reklama
Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

Samsung urychlil vývoj 160vrstvých pamětí NAND Flash

20.4.2020, Jan Vítek, aktualita
Samsung urychlil vývoj 160vrstvých pamětí NAND Flash
Samsung Electronics se rozhodla urychlit vývoj svých vrstvených pamětí V-NAND další generace. Jedná se o paměti tvořené 160 vrstvami buněk, které budou spadat do 7. generace V-NAND a využijí technologii double-stack. 
Zrovna nedávno jsme si mohli přečíst o tom, jak čínské firmy začínají vystrkovat růžky, a to především YMTC, která ohlásila 128vrstvé paměti NAND Flash. Ta je chce začít vyrábět ve velkém ještě v tomto roce, takže lze říci, že v tomto ohledu už téměř srovná krok i se zavedenými společnostmi. Možná pak není náhoda, že se nyní dozvídáme o urychleném vývoji 160vrstvých pamětí V-NAND 7. generace. Respektive může jít o paměti se 160 vrstvami, ale nakonec jich může být ještě více, to se teprve ukáže. 
 
 
Samsung Electronics chce v tomto případě využít technologii, či možná spíše architekturu double-stack. V rámci 128vrstvých V-NAND je to ještě single-stack, která je levnější na výrobu, protože vyžaduje méně materiálu, ale je náročnější na využití. Jde o způsob tvorby otvorů pro vertikální propojení vrstev a double-stack má zajistit, aby Samsung v příštích letech zvládl paměti tvořené 500 či více vrstvami. 
 
Aktuálně mají paměti 3D NAND Flash nejvíce právě 128 vrstev, takže Samsung má šanci jako první firma nabídnout verze s ještě více vrstvami, a tedy i s vyšší kapacitou. Čekáme tak na první společnost, která ohlásí, že zvládla výrobní proces 160 či snad dokonce 192vrstvých pamětí. Samsung by to mohl ohlásit ještě v tomto roce a spustit výrobu 160vrstvých pamětí, přičemž 7. generace V-NAND by nakonec mohla dosáhnout právě i oněch 192 vrstev.
 
Tím se navýší kapacita celého výsledného waferu, přičemž výrobci pracují i na zvýšení kapacity jednotlivých buněk. Už dnes tu máme paměti typu QLC, které ukládají 4 bity do buňky, což vyžaduje schopnost kontroleru rozpoznat 16 úrovní náboje. Kioxia (Toshiba Memory) ale už vyvíjí (a asi nejen ona) paměti PLC s pěti bity na buňku, což ovšem znamená, že se bude muset rozpoznávat 25, čili 32 úrovní náboje. Výkon při zápisu pak asi nebude zrovna úctyhodný.
 
Samsung se stále může pochlubit první příčkou mezi výrobci NAND Flash. Loni z jejich prodeje utržil 16,5 miliard (podíl 35,9 %) a mohl se těšit na to, že letos jejich cena půjde strmě vzhůru. Jenomže do toho nyní hodil vidle Covid-19, takže pokud této nemoci můžeme za něco vděčit, pak je to stagnace cen SSD na trhu na rozdíl od jiného hardwaru (CPU, GPU), jehož ceny i kvůli propadu koruny šly nahoru.  
  
Zdroj: ETNews


reklama