reklama
Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

Samsung uvádí nové produkty s V-NAND včetně 1Tb čipu

9.8.2017, Jan Vítek, aktualita
Samsung uvádí nové produkty s V-NAND včetně 1Tb čipu
Společnost Samsung se pochlubila se zásadními novinkami z oblasti SSD a pamětí V-NAND, které má relativně brzy vypustit na trh. Samsung je přitom jednou z předních světových firem na tomto poli, takže její novinky budou představovat to nejlepší. 
Samsung připomíná, že nároky na kapacitu a rychlost úložných zařízení se neustále zvyšují, za což může třeba rozmáhající se umělá inteligence nebo technologie Internetu věcí. Na Samsung Tech Day a Flash Memory Summit tak předvede nové technologie, které se točí kolem pamětí V-NAND, jak Samsung nazývá své 3D paměti NAND Flash, a tak i kolem SSD. 
 
 
Jako první byl představen 1Tb čip V-NAND, který tak bude mít kapacitu v bajtech 128 GB a jeho vývoj má být brzy dokončen, aby mohl být tento čip v příštím roce uveden na trh. Nejde přitom o to, že kapacitu 128 GB budou mít celá paměťová pouzdra, jaká vidíme třeba na fotografii v podobě vedle sebe posázených tmavých obdélníků. To by bylo na dnešní dobu už poněkud málo. Tato pouzdra jich ponesou jako obvykle více a Samsung uvádí, že 1Tb V-NAND umožní dosáhnout kapacity 2 TB právě v jednom takovém pouzdře, čili to jich bude obsahovat celkem 16.
 
Pokud by zobrazené oboustranné SSD mělo nést taková pouzdra, jeho celková kapacita by se vyšplhala na 32 TB, s čímž už ani zdaleka nemohou soupeřit ani 3,5" disky. Blíží se tak doba zániku magnetických ploten? To bude záležet především na ceně. 
 
Pak tu máme nový formát NGSFF (Next Generation Small Form Factor), který představuje kapacitu až 16 TB a zvýšenou paměťovou propustnost, a to na kartách s rozměry 30,5 x 110 x 4,38 mm, které budou určeny pro datová centra i 1U servery. Ten tak nahradí formát M.2 a přinese možnost zvýšení kapacity 1U serveru na 576 TB díky 16TB SSD, přičemž ten pak může nabídnout až 10 milionů IOPS při náhodném čtení. Nové NGSFF modely budou ve výrobě od konce tohoto roku. 

Nakonec můžeme zmínit Z-SSD a první produkt založený na těchto pamětech, Samsung SZ985 chlubící se velice nízkými latencemi a vysokým výkonem, takže jde o konkurenci především pro paměti Intel/Micron 3D XPoint. Uvedené SSD slibuje zpoždění při čtení jen 15 mikrosekund, což je asi sedmina toho, co nabízí NVMe SSD. Více nám toho Samsung zatím o svých SZ985 neprozradil. 
 
Zdroj: TZ Samsung via techPowerUp
reklama