Od společnosti Samsung Electronics jsme se dočkali nových paměťových čipů DDR5 DRAM, u kterých i přesně víme, že jsou vyráběny pomocí 12nm technologie (obvykle víme jen první číslici). Tyto čipy mají kapacitu 16 Gb, tedy 2 GB, a zaručují kompatibilitu s platformou AMD a novými procesory Ryzen. Využití tu našel nový high-k materiál, který vylepšuje kriticky důležité vlastnosti čipů.
12nm výroby využívá procesu EUV a díky vysoké hustotě se zvýšila výtěžnost na wafer o 20 %. Čipy jsou také velmi rychlé a slibují 7,2 Gbps na pin. Na 64bitovém rozhraní to znamená přenesení dvou 30GB 4K filmů za sekundu (přesněji řečeno, 57,6 GB/s). Výhodou nového procesu je také vyšší efektivita a proti předchozí generaci mají čipy o 23 % nižší spotřebu. Jejich velkosériová výroba začne v roce 2023.
Zdroj: samsung.com, zdnet.com
.jpg){kind=logo}
