TSMC odstartovala stavbu továrny pro 2nm čipy, Čína žádá soběstačnost

TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) stále postupuje ve vývoji nových technologií, což jí jde v posledních letech pozoruhodně snadno, respektive bez problémů, které by zapřičinily citelná zpoždění, jako je tomu v případě Intelu. TSMC tak dnes už najíždí na výrobu 5nm procesem, který má zvládnutý dostatečně dobře na to, aby společnost Apple mohla už brzy na trhu nabídnout produkty s 5nm čipy.

 

 

5nm proces N5 firmy TSMC je přitom i Intelem uznán za ekvivalent jeho 7nm procesu, který bude aktuální přinejlepším na konci příštího roku. Další hlavní zastávka pro TSMC je 3nm proces a pak už nastoupí 2nm, o němž je nová zpráva. 

 

Ta uvádí, že TSMC už odstartovala výstavbu jednak výzkumného a vývojového (R&D) centra pro 2nm proces a vedle něj i samotné továrny, aby ta byla k dispozici včas. Obě zařízení jsou stavěna poblíž ředitelství firmy ve Hsinchu Science Park na Tchaj-wanu. 

 

A právě 2nm proces bude zásadní v tom, že využije nový typ tranzitorů typu GAA - Gate All Around. GAA či GAAFET jsou základem pro MBCFET. Hlavní rys je ale stále stejný. Oproti dnešním FinFET s vysokým kanálem zasahujícím do hradla jde o to, že hradlo už obepíná celý kanál kolem dokola, přičemž výsledek se může lišit dle toho, kolikrát a v jakém tvaru kanál (či kanály) hradlo protne (nebo protnou). 

 

Vedle toho všeho také firma TSMC oznámila, že začala s plánováním vývoje 1nm procesu, takže nyní už opravdu můžeme čekat, že se dostaneme i pod tuto hranici rozlišení, i když je dobře známo, že jde o velice relativní označení procesů. Zkrátka a dobře, není nanometr jako nanometr. 

 

 

Ruku v ruce s tím bude TSMC vyvíjet také nové technologie pouzdření čipů, které umožní chytře a efektivně propojovat různé menší čipy v jeden funkční celek. To umožní odklonit se od výroby velkých monolitů, jež dnes až na výjimky stále vládnou. TSMC to vše řadí pod soubor technologí 3D Fabric, který se začne více využívat někdy za rok. 

 

Čína (ČLR) se naopak může připravit na značné problémy s výrobou čipů, které se bude snažit vyřešit během nadcházejícího pětiletého plánu (2021 až 2025) s využitím třetí generace polovodičů, které jsou založeny na materiálech jako GaN a SiC. Konečným cílem je zcela se oprostit od závislosti na amerických technologiích, do čehož počítáme výrobní kapacity amerických firem a firem využívajících americké výrobní technologie. Zde ale nezbývá než počkat, co se z toho vyvine. 

 

Zdroj: Digitimes.tw