Výtěžnost 2nm procesu TSMC dosahuje přes 90 %. Platí to pro 256Mb čipy SRAM

Společnost TSMC dále pokračuje ve zlepšování vlastností 2nm procesu N2. Jeho výtěžnost stoupá a posledně se mluvilo o zhruba 60 %. Nyní se už dostala na světlo světa dokonce hodnota přes 90 %. To je opravdu velmi pěkné číslo. Nicméně jak nedávno varoval bývalý CEO Intelu, Pat Gelsinger, samotná výtěžnost není zrovna nejlepší metrikou. Výrazně totiž záleží na velikosti čipu, který se pomocí daného procesu vyrábí. Zatímco pro velké čipy může být výtěžnost nízké dvouciferné číslo (a klidně i jednociferné), stejný proces může mít s malými čipy klidně i velmi vysoké dvouciferné procento. Jednoduše stejný počet chyb "zasáhne" procentuálně mnohem méně čipů. Je rozdíl zkazit 10 chybami 10 čipů ze 100 velkých nebo 10 čipů z 10000 malých.

 

A právě něco takového máme zde. Udávaná více než 90% výtěžnost procesu N2 se totiž týká výroby 256Mb paměťových čipů SRAM. Vzhledem k tomu, že N2 by měl mít okolo 38,1 Mb/mm2, tak 256Mb čip by měl zabírat jen necelých 7 mm2. Na 300mm wafer s plochou přes 70 tisíc mm2 se jich tak teoreticky vejde více než 10 tisíc. Jenže třeba takový čip GB202 v GeForce RTX 5090 má plochu 750 mm2 na procesu N4 (na N2 by byl o něco menší). 

 

Připomeňme, že jeden 300mm wafer vyráběný pomocí N2 by měl stát okolo 30 tisíc USD, což je o polovinu více než u procesů N2 (tam jde o 18-20 tisíc USD). Své v tom hrají i velké investice do stavby továren. Zatím se pomocí tohoto procesu vyrábí jen na Tchaj-wanu, nicméně brzy by na ni měla přejít i továrna v Arizoně v USA, která nyní produkuje čipy na procesu N4. Počítá se s tím, že by se pomocí něj měl v příštím roce vyrábět procesor Apple A20 pro iPhony 18 Pro i některé dlaždice pro Intel Nova Lake.

 

Zdroj: techspot.com, wccftech.com, ilustrační foto (autor: Briáxis F. Mendes (孟必思), CC BY-SA 4.0, přes Wikimedia Commons)