Výtěžnost 3nm procesu TSMC je prý okolo 60-80 %, Samsung na zlomku
2.1.2023, Milan Šurkala, aktualita
TSMC před několika dny zahájilo výrobu pomocí 3nm procesu a podle zákulisních informací se těší velmi slušné výtěžnosti. Naopak konkurenční Samsung trápí opačný problém a počet bezvadných čipů je příliš nízký.
Společnost Samsung byla sice první, která odstartovala 3nm výrobu, potýká se ale s velmi nízkou výtěžností výroby, zatímco konkurenční TSMC, které s ní začalo teprve před pár dny, se těší přesnému opaku. Pokud jde o TSMC, tam se odhaduje výtěžnost okolo 60-70 %, nicméně někteří analytici hovoří ještě o vyšších číslech. Padají zde dokonce hodnoty jako 75-80 %. Díky tomu by nemusel být problém s dodávkami nových procesorů pro Apple (možná M2 Pro nebo M3, později také A17 Bionic pro iPhony 15 Pro), dostatečná výrobní kapacita by mohla připadnout i na Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3. Zde ale připomeňme, že TSMC nadále používá proces FinFET, který byl použit už u několika předchozích generací.
Naopak Samsung má opačný problém.Ten už u 3nm procesu přešel na technologii GAA (Gate-All-Around), kterou chce TSMC nasadit až u 2nm procesu. V případě Samsungu je ale výtěžnost bohužel hodně nízká, což platí už dlouhodobě i o předchozích procesech (a to i bez technologie GAA). Zatímco "4nm" Snapdragony 8+ Gen1 byly u TSMC vyráběny se 70% výtěžností, u Samsungu to bylo jen okolo 35 % a Qualcomm nebyl jedinou firmou, která se od Samsungu odvrátila. U 3nm procesu GAA od Samsungu se pak hovoří o pouhé 20% výtěžnosti a objevují se i hlasy, které hovoří o pouhopouhých 10 %. Otázkou zůstává, kam se posune výtěžnost TSMC, až také přejde na technologii GAA.
Zdroj: phonearena.com, wccftech.com
