Výzkumníci ze Stanfordu našli dva slibné materiály jako náhradu křemíku v čipech

Nalezení náhrady za křemík, která by umožnila vyrobit čipy, na něž se vměstná více tranzistorů, je lék, který by dokázal ještě více prodloužit platnost Mooreova zákona, jakkoliv pokřivený a pozměněný už dnes je. Selenid hafničitý (HfSe₂) a selenid zirkoničitý (ZrSe₂) mají umožnit, aby se tvořily datové spoje o tloušťce pouhé tři atomy, čili 0,66 nm. To je zcela za možnostmi křemíku. 

 

 

Docent Eric Pop s dr. Michalem Mleczkem zveřejnili příslušnou studii v Science Advances, kde popsali svou práci na těchto nových materiálech a začali s tím, jak důležitá je rez. Zde jde ovšem o rez v podobě oxidu křemičitého a jeho nezbytnosti jako "nativního" izolantu, přičemž selenid hafničitý a selenid zirkoničitý na tom mají být v tomto ohledu ještě lépe jako high-K izolanty, což umožní pracovat s nižším napětím, než je možné s křemíkem a jeho oxidem. 

 

Navíc jsou na tom nové materiály přinejmenším stejně dobře s ohledem na energii, která je nutná k sepnutí tranzistoru a především je tu ona zmíněná vlastnost, že díky nim je dle výzkumníků možné tvořit elektrické okruhy s tloušťkou pouze tří atomů, což není ani celý nanometr. Aktuálně je přitom pro existující křemíkové technologie vnímáno jako limit rozlišení 5 nm, což možná bude ještě upraveno, ale pod 1 nm nemají šanci se dostat, neboť pak už nastávají zcela nevhodné změny v tom, jak se daný materiál chová. 

 

Ovšem jako obvykle, Mleczko a Pop se shodují na tom, že k praktickému nasazení nových materiálu existuje ještě dlouhá cesta, přičemž ta schůdná bude zahrnovat spíše kombinaci nových a starých technologií a materiálů. 

 

Zdroj: Hexus.net