Dle očekávání v první polovině tohoto roku nastalo efektivní zdvojnásobení kapacity moderních pamětí NAND Flash oproti tomu, co bylo k dispozici přibližně před rokem. Nastupují totiž paměti s 96 vrstvami a buňkami QLC.
Minulý rok totiž byly na trhu rozšířeny 64vrstvé paměti s buňkami TLC, které zapisují tři bity. Western Digital nyní začal do svých spotřebitelských modelů SSD montovat své 96vrstvé BICS4 3D NAND založené na buňkách TLC a právě i QLC pro zápis 4 bitů. Počet vrstev se tak zvýšil o polovinu a počet bitů v buňkách o třetinu, takže když si to vynásobíme, získáme přesně dvojnásobnou kapacitu na stejné ploše.
Už dříve se přitom představily 96vrstvé paměti nebo 64vrstvé s QLC a čekalo se na to, až to výrobci zkombinují a začnou běžně využívat, což jako jeden z prvních zařídil i Western Digital či jeho partnerská Toshiba. Vzhledem k takovému pokroku a ochabující poptávce pak ani není divu, že cena NAND Flash vytrvale klesá a i když se má v tomto roce jejich produkce na wafery možná i snížit, výsledná kapacita vyrobených pamětí bude naopak vyšší. Za to ale pochopitelně nemohou 96vrstvé QLC paměti, respektive ne pouze ty, ale celkový vývoj kapacity NAND Flash.
Western Digital hlásí, že výroba pamětí BICS4 (4. generace 3D NAND) jde dobře a že v druhé polovině tohoto roku už půjde o nejčastěji vyráběné paměti v jeho továrnách. Na cestě už jsou tak i nové spotřebitelské verze, které budou založeny na čipech s kapacitou 256Gb až 1 Tb. Dříve přitom WD vyráběl 256Gb 3D TLC NAND pro USB Flash disky, karty a podobné produkty, ale nová řada BICS4 bude určena právě i pro náročnější využití v SSD.
Dosud ale nebyly ohlášeny žádné konkrétní modely spotřebitelských SSD, která mají tyto nové paměti využít. Výrobci NAND Flash tak možná chtějí omezovat výrobu, ale vývoj nových technologií pokračuje v plném tempu, neboť to se vzhledem k vysoce konkurenčnímu trhu opravdu nevyplatí snižovat. Ostatně na obzoru jsou již BICS5 (výše zobrazená roadmap je však už starší) a WD také paralelně vyvíjí technologii resistivních RAM (ReRAM). Ty využívají memristory a slibují opravdu vysoký výkon. Už v roce 2017 se mluvilo o tom, že ReRAM budou schopny nabídnout 6 milionů IOPS (512 B) s latencemi pod 10 mikrosekund.
