Western Digital také chce nabídnout paměti s buňkami QLC, což znamená, že každá z nich dokáže uložit 4 bity informace. Nedávno jsme se dozvěděli o tom, že se chystají podobné, a sice Micron 5210 a očekává se, že paměti 3D NAND Flash obecně do roku 2021 dosáhnou 140 vrstev. K tomu už mají ohlášené paměti BiCS4 s 96 vrstvami opravdu blízko.
Western Digital je zatím na cestě k výrobě těchto 96vrstvých pamětí BiCS4, ovšem nyní má v nabídce stále 64vrstvé BiCS3, jež byly označeny za jeho první komerčně životaschopné 3D NAND.
Stejně jako v případě firmy Micron se i zde očekává, že nové paměti s QLC buňkami budou určeny pro levná a zpravidla spotřebitelská řešení či prostě pro úložná zařízení, v jejichž případě se neočekává vysoká zátěž s ohledem na zápis dat. Životnost těchto pamětí totiž nebude vysoká právě co se týče zápisu a Micron udává jen asi třetinovou oproti pamětem s buňkami TLC. WD ostatně hodlá nové paměti BiCS4 později využít i pro výkonnější řešení, což je obvyklý scénář. Nejdříve se takové nové paměťové technologie využívají v levných SSD a až později se postupně dostávají do podnikových úložných zařízení, jak se výrobní technologie postupně vylepšuje.
Western Digital CEO Steve Milligan prozradil, že nejdříve budou vyráběny 256Gb čipy BiCS4 a pokud nás uvedená roadmap neklame, ty by měly dorazit už letos. Později se však tyto paměti mají dostat až na kapacitu 1 Tb na pouhý jeden čip, a to především díky postupně se zvyšující výtěžnosti.
Nutno dodat, že neexistuje rovnítko mezi BiCS4 a QLC. Právě QLC vyplývá z označení pamětí X4, což tak nejdříve potká 64vrstvé BiCS3, jak ukazuje právě zveřejněná roadmap. Paměti BiCS4 by tak mohly být typu MLC, TLC i QLC (X2, X3 a X4), ale to se zatím nedozvíme. Je ale logické usuzovat, že to budou TLC a QLC.
Vedle toho se ještě dozvíme, že se bude pokračovat s výrobou 2D NAND Flash s buňkami MLC i TLC (na QLC už mají 15nm paměti příliš malé buňky), a to dokonce až přinejmenším do roku 2020. I pro tyto paměti se dnes najde využití v méně náročných zařízeních.
Na druhé straně tu je technologie rezistivních RAM (ReRAM), která je stále ve vývoji, a to už řadu let. Využít mají memristory a slibují opravdu vysoký výkon. V minulém roce se mluvilo o tom, že ReRAM budou schopny nabídnout 6 milionů IOPS (512 B) s latencemi pod 10 mikrosekund.
Zdroj: techPowerUp
