Intel prý pozdrží využití technologie EUV do roku 2021

Dnes už jsme nakousli téma EUV v Intelu a nyní se na to podíváme blíže. V prvé řadě jde o to, že pokud Intel nasadí EUV až v roce 2021 či ještě později, má TSMC a/nebo Samsung další šanci, jak mu uniknout. TSMC totiž už vyrábí 7nm čipy a Samsung na tom není o moc hůře, zatímco 10nm technologie Intelu bude ve velkém nasazena až později v příštím roce. O tématu EUV v Intelu se nyní rozpovídal elektronický inženýr a analytik Mark Li (fa Bernstein). Dle něj jsou obě tyto věci, čili zpoždění 10nm procesu i EUV, neodlučně spojeny, což dává smysl. Však pokud potkalo zdržení samotný 10nm proces, je logické, že technologie EUV, která jej měla vylepšit, bude nutně nasazena také později. Svým způsobem je to dobrá zpráva, neboť lze říci, že za tím nejspíše nestojí problémy se samotným EUV, alespoň se o tom nemluví.

 

 

Pokud by se Intel dokázal držet svého původního plánu, v roce 2016 by měl k dispozici 10nm proces a nyní bychom už vyhlíželi další, 7nm proces. Nebylo by také vůbec od věci očekávat brzké nasazení EUV. Nicméně takové věci se plánují dlouhé roky dopředu a nové procesy jsou pevně svázány s novými technologiemi, což je i EUV, takže pokud ta měla dorazit v případě Intelu se 7nm procesem, bude společně s ním také odložena. 

 

Je přitom velká otázka, zda EUV Intel nasadí alespoň v onom roce 2021, na který je aktuálně plánován právě 7nm proces. Však lze očekávat, že jeho vývoj nebude jednoduchý a také proč by měl být, když zdržení potkalo 14nm proces a v případě chystaného 10nm je to ještě daleko horší. 

 

To všechno se tak opírá o jedno velké možná a nyní nikdo nedokáže přesně říci, jak to nakonec bude, zvláště když tu hraje ústřední roli právě EUV. Tato technologie byla popsána už v roce 1988 a počátky jejího vývoje se datují do roku 1995. Samotný Intel ji do svých roadmap zařadil v roce 2000 a tehdy velice optimisticky očekával její zařazení do výroby v roce 2004 a nyní, o 14 let později, se tak stále nestalo. 

Samotné EUV má kvůli své vlnové délce pouze 13,5 nm vysoce problémové nasazení. Když to vezmeme opravdu zkrátka, jde o CO₂ laser, kterým se zasahují malinké kuličky cínu s průměrem jen asi 30 mikronů, čímž se tvoří ionizované plazma a z něj se zrcadly pokrytými molybdenem a křemíkem usměrňuje vznikající EUV záření na jeho cíl. Problém byl především s vývojem dostatečně silného zdroje EUV záření, které je navíc pohlcováno v podstatě vším, takže pro jeho usměrnění nelze využít čočky, ale právě speciální zrcadla a i ta zdaleka neodráží vše. 

 

Co se týče konkurence Intelu, z našeho pohledu to bude především TSMC. To počítá s využitím EUV ve svém 7nm procesu 7FF+. Dle tabulky od Anandtechu přitom můžeme očekávat oproti dnešnímu 7nm procesu menší vylepšení na všech hlavních frontách, a to včetně hustoty uložení prvků, takže na stejnou plochu se díky tomu má vejít o cca 17 % více tranzistorů. Pro 5nm proces už má být EUV v podstatě nutnost.

 

Samotný Samsung si svou 7nm technologii šetří právě až pro EUV, takže ji představí rovnou s ním, a to dle plánu v první polovině příštího roku. 

 

 

TSMC přiznává, že aktuální výrobní nástroje stále neposkytují dostatečně silný zdroj extrémního ultrafialového záření. Dlouhodobě zvládnou poskytovat výkon jen 145 W, ale firma uvádí, že jejím cílem je letos dosáhnout 300 W, což už pro praktické nasazení bude stačit (ono by stačilo i 250 W). Jsou tu ale i jiné problémy, jako jsou třeba membrány zrcadel odrážejících vzniklé záření, které propouští nyní jen 83 % záření a cílem je dosáhnout alespoň 90 %. 

 

 

V každém případě bude EUV v Samsungu a TSMC nasazováno postupně, a to nejdříve tam, kde to bude nejjednodušší, pokud mluvíme o jednotlivých vrstvách "stavěných" čipů. Čili překážky tu jsou a i když je možné, že je Samsung a TSMC v příštích měsících překonají, vůbec bychom se nedivili, kdyby to trvalo ještě dva či tři roky. V takovém případě by se Intelu jeho čas navíc mohl v podstatě i hodit. 

 

Zdroj: Extremetech