Samsung chystá výkonná Z-SSD s novými paměťmi
30.1.2018, Jan Vítek, aktualita
Bezpochyby jako odpověď na řadu Intel Optane s paměťmi 3D XPoint si Samsung chystá nová Z-SSD, která budou zase vybavena paměťmi Z-NAND. Ty slibují mnohem vyšší výkon než klasické NAND Flash, takže co můžeme od SZ985 očekávat?
Těšit se mohou spíše provozovatelé vysoce výkonných systémů, neboť Samsung Z-SSD jsou určeny pro HPC a AI stroje. Firma přitom uvádí, že už vypustila nové SZ985 s kapacitou 800 GB na trh, ovšem na to zrovna neukazují doprovodné obrázky, které jsou evidentně renderované.
.jpg)
Samsung SZ985 je tak první generace nových Z-SSD, jež chce tato firma dále rozvíjet, a to především s ohledem na paměťovou hustotu. Je zřejmé, že ta dnes není zrovna vysoká, pokud tedy uvedené obrázky odpovídají skutečnosti, tedy tomu, jak bude vypadat 800GB verze. Vidíme na nich alespoň 8 pouzder s paměťmi, a to jsou možná další na druhé straně PCB. Dnešní paměti 3D NAND Flash používané například v SSD Toshiba RC100, dosáhnou kapacity 480 GB v jednom jediném pouzdru, kde je navíc umístěn i SSD kontroler.
Z-SSD jsou založeny na pamětech s 10násobným výkonem při čtení v porovnání s 3bitovými (TLC) paměťmi V-NAND a v jejich výkonech jim napomůže také 1,5GB buffer tvořený LPDDR4 DRAM. Samsung dále své Z-SSD srovnává s běžnými paměťmi pro mainstreamová až low-endová SSD a uvádí 1,7násobnou rychlost náhodného čtení 4kB dat, a to 750.000 IOPS a pětkrát kratší zpoždění - 16 mikrosekund.
Výkon zápisu nového Samsung SZ985 je však podstatně slabší, a to pouze 170.000 IOPS, ovšem velice slušná je garantovaná výdrž, a to 30 kompletních přepisů SSD denně po dobu pěti let. To nám dává celkových 42,7 petabajtů TBW a výdrž buněk cca 55 tisíc přepisů. To je alespoň o řád lepší ve srovnání s běžnými NAND Flash.
| Paměti | Kapacita | R/W IOPS | R/W sekvenční | Životnost | R/W latence | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Optane P4800X | 3D XPoint | 750GB | 550K/550H | 2,4/2,0 GB/sec | 41 PBW | 10/10μs |
| SZ985 | SLC NAND | 800GB | 750K/170K | 3,2/3,2 GB/sec | 42,7 PBW | 12-20/16μs |
A co se vůbec pod paměťmi Z-NAND skrývá? V podstatě nic nového, neboť jde o znovuzrozené SLC NAND Flash zapisující jen jeden bit do buňky. Právě proto je hustota paměti v porovnání s MLC, TCL či dokonce QLC chabá, ale na druhé straně je dosaženo mnohem vyššího výkonu a velké buňky dosáhnou také vysoké výdrže.
Vedle 800GB verze bude k dispozici také 240GB a PCB samotné vypadá, že je připraveno také na vytvoření 1600GB modelu. Samsung tyto produkty předvede mezi 11. a 15. únorem na ISSCC 2018 (International Solid-State Circuits Conference) v San Francisku.
Zdroj: techPowerUp
