Samsung hlásí objev a-BN, velice důležitého dielektrika pro budoucí čipy
7.7.2020, Jan Vítek, aktualita
Společnost Samsung hlásí, že se výzkumníkům v Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) ve spolupráci s dalšími institucemi povedlo najít nové velice zajímavé dielektrikum, které pomůže v dalším zmenšování počítačových čipů.
Jde o prý náhodný objev výzkumníků ze Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) ve spolupráci s Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST) a University of Cambridge. Vlastnosti materiálu a-BN tak byly dle profesora Manishe Chhowally z Cambridge odhaleny náhodou, takže i štěstí přispělo k tomu, že tu máme nový nadějný dielektrický materiál.
Amorfní nitrid boritý (a-BN) má vhodné elektrické a mechanické vlastnosti na pozici dielektrika v počítačových čipech s konstantou 1,78κ. Překonává tak dnes používaný materiál p-SiCOH s jeho 2,5κ a vypadá to, že v tomto ohledu je polovodičový průmysl opravdu na dobré cestě. Dle International Roadmap for Devices and Systems by totiž bylo pro tento průmysl velice vhodné, aby se do roku 2028 objevilo dielektrikum s hodnotou pod 2 κ, což a-BN snadno překonává.
Materiál a-BN tak může být použit jako izolant v počítačových čipech, který bude minimalizovat vzájemné rušení mezi datovými spoji, což tak pomůže pokročit ve vývoji čipů, respektive v jejich dalším zmenšování.
Amorfní nitrid boritý byl odvozen od tzv. bílého grafenu, což je opět BN, ovšem už s pravidelnou krystalickou mřížkou, díky níž má zcela jiné vlastnosti. Autoři studie také hlásí, že samotný a-BN také může být tvořen s využitím klasických technologií na křemíkových waferech, a to při relativně nízkých teplotách do 400 °C. Konkrétně se pak zmínili o jeho nasazení při tvorbě příštích pamětí typu DRAM či NAND Flash a lze si představit, že půjde o paměti tvořené právě firmou Samsung.
