Samsung nabízí své první komerčně dostupné Embedded MRAM

Samsung tak nechce být pozadu, alespoň co se týče prezentace svých novinek založených na pamětech eMRAM. Zatím totiž teprve plánuje spustit výrobu pomocí výrobní technologie FinFET, což Intel už učinil, ovšem v jeho případě jde stále o 22nm technologii. Ta už byla v Intelu právě v podobě FinFET, zatímco firmy jako Samsung ve své době nic podobného neměl, a tak ani není divu, že se zde používá technologie 28FDS, čili 28nm Fully Depleted SOI. 

 

 

Oproti pamětem eFlash slibují nové Embedded MRAM (eMRAM) od Samsungu vyšší výkon i výdrž, co se týče počtu zapisovacích cyklů. Paměti také mohou být integrovány do existujících čipů.  

 

Jak dobře víme, magnetorezistivní paměti s libovolným přístupem využívají právě měření odporu, aby se dalo zjistit, jaká informace je v nich zapsaná. Tento odpor závisí na magnetismu dvou feromagnetických vrstev oddělených tenkou bariérou. Uplatňuje se zde proces, který Samsung sám nazývá Magnetic Tunnel Junction, čili MTJ.

 

 

MRAM je velice nadějná technologie, která teoreticky může zajistit rychlosti srovnatelné s RAM a přitom vysokou výdrž a schopnost udržet data i bez napájení. Aktuální eMRAM je asi 1000x rychlejší než eFlash a vůbec nevyžaduje již obsazené buňky před novým zápisem smazat. Pracuje také při mnohem nižším napětí, a tak dle Samsungu vyžaduje asi 400x méně energie pro zápis dat. 

 

Na druhé straně jsou MRAM zatím na začátku na rozdíl od vyspělých a široce rozšířených DRAM, NAND Flash nebo i 3D XPoint. Samsung také veřejně nesděluje, jakou kapacitu jeho eMRAM mají, ale víme, že teprve v tomto roce se chystá dokončit design 1Gb čipů. Aktuální eMRAM jsou určeny pro využití v mikrokontrolerech, IoT či umělé inteligenci. Později budou tyto paměti vyráběny také pomocí procesu 18FDS a poté i pomocí procesů FinFET.

 

Zdroj: Anandtech