Samsung odhalil 256GB RDIMM i nové výrobní procesy
22.10.2018, Jan Vítek, aktualita
Příští rok nás konečně čekají i v PC sektoru nové produkty vyrobené 7nm procesy, a to možná vůbec poprvé i pomocí EUV. I o tom mluvil Samsung vedle dalších inovací, které se však týkaly především datových center, jako jsou například 256GB RDIMM.
Samsung konkrétně ohlásil paměti 3DS DDR4 RDIMM s kapacitou 256 GB, vedle nich jistá SmartSSD a 7nm proces s EUV, který is připravili v Samsung Foundry Business.
Tuto zprávu si můžeme spojit s nedávno zveřejněnými informacemi o nových pamětech NAND Flash, kam patří paměti QLC a druhá generace Z-NAND. Samsung k tomu přidává SmartSSD, což jsou SSD kombinovaná s akcelerátory FPGA. Ty jsou programovatelné, takže je lze přizpůsobit konkrétním potřebám a docílit vyššího výkonu.
Zmíněné 256GB paměti docílily takové kapacity právě díky tomu, že jde o 3DS RDIMM, kde 3DS znamená 3-dimensional stacking. Jde prostě o vrstvené paměti podobně jako v případě Samsung V-NAND, které jsou založeny na 16Gb čipech DDR4 vyráběných 1Xnm procesem. Tyto paměti umožní vytvořit servery s kapacitou paměti až 16 TB.
Samsung také už začal s výrobou pomocí procesu 7nm LPP (Low Power Plus) s EUV, což už bylo ohlášeno dříve. 7LPP EUV nabídne možnost zmenšení stejně složitého čipu o 40 %, 50% snížení spotřeby a 20% zvýšení výkonu tranzistorů, a to vše oproti 10nm procesu. A jak už Samsung dříve ohlásil, díky tomuto procesu a LPP je na "přímé cestě ke 3 nm".
Další střípky informací nám prozradí, že příští Z-SSD (SSD se Z-NAND) budou využívat rozhraní PCI Express 4.0, které oproti 3.0 nabídne dvojnásobnou propustnost na linku. I díky tomu budou Z-SSD poskytovat velice slušnou rychlost sekvenčního čtení až 12 GB/s. Vypadá to tak, že ještě pár let a ta nejlepší SSD dosáhnou výkonu z říše RAM. I když i RAM se pochopitelně budou vyvíjet, protože standard DDR5 už je v dohledu.
Nakonec zmíníme ještě jisté Aquabolt. Jde o nejnovější paměti HBM2, jež nabízí v rámci pouzdra kapacitu 8 GB a k tomu propustnost 307 GB/s. Pokud by tedy takové paměti využil 14nm čip Vega 10, nabídl by 16 GB paměti při 614 GB/s a Vega 20 se čtyřmi pamětmi by nabídla rovnou 32 GB a propustnost 1228 GB/s.
To jsou tedy novinky firmy Samsung, která se pomalu chystá už na 6. generaci pamětí V-NAND a k tomu také plánuje výrobu pamětí DRAM "sub-10nm procesem" s využitím EUV. To už budou nejspíše právě i DDR5.
Zdroj: TZ Samsung
