Samsung opět posouvá možnosti eUFS pamětí o něco dále. Nyní uvádí 512GB čip použitelný např. v mobilních zařízeních, který slibuje mnohem vyšší přenosové než předchozí eUFS 2.1 modely. Těšit se lze na více než 2 GB/s.
Co je RTX AI
Web Světhardware.cz přináší velký přehled o NVIDIA RTX AI ve vašem počítači a popisuje spolehlivou a bezpečnou cestu, jak si na svém počítači vytvořit lokální umělou inteligenci.
Zejména mobilní zařízení budou moci už brzy využívat nových paměťových čipů společnosti Samsung, které slibují velmi vysoké přenosové rychlosti. Vnitřní paměť bývá mnohem rychlejší než paměťové karty a s novou generaci eUFS 3.0 čipů se výkony posouvají zase o něco dále. Přitom to bylo koncem letošního ledna, kdy Samsung představil 1TB čip s rychlostí čtení 1000 MB/s, zápisu 260 MB/s a náhodnými přenosy 58 tisíc IOPS u čtení a 50 tisíc IOPS u zápisu. Nyní, o měsíc později, tu máme 512GB uEFS 3.0 modul, jehož výkony jsou ještě o dost vyšší.
Využívá 5. generaci pamětí V-NAND. Nově je tak možné dosáhnout rychlosti 2100 MB/s u čtení (proti výše zmíněnému 1TB čipu +110 %) a 410 MB/s u zápisu (+58 %). Pokud jde o náhodné čtení, to se zvýšilo o 9 % na 63 tisíc IOPS, mnohem lepší je to ale u zápisu, kde došlo dokonce k 36% zvýšení na 68 tisíc IOPS. Tohle jsou hodnoty, kterými se ani nejlepší microSD karty se standardem A1 nemohou měřit, tam se hovoří o pouhých 500 IOPS, u běžných karet je to ještě méně. Samsung chce vedle tohoto 512GB čipu představit i 128GB variantu. V druhé polovině letošního roku by se měly eUFS 3.0 paměti představit i s kapacitou 256 GB a 1 TB.
