Galerie 3
Samsung vytvořil 1TB SSD v jednom malém pouzdře
i Zdroj: Svět hardware
Aktualita Storage a RAM SSD Samsung

Samsung vytvořil 1TB SSD v jednom malém pouzdře

Jan Vítek

Jan Vítek

Samsung přináší na trh nové SSD, které je tvořeno pouze malým pouzdrem o rozměrech 11,5 x 13 mm. V něm najdeme celkem 1 TB paměti NAND Flash a také příslušný SSD kontroler, takže jde o celkové a samostatné řešení.

Co je RTX AI

Co je RTX AI

Web Světhardware.cz přináší velký přehled o NVIDIA RTX AI ve vašem počítači a popisuje spolehlivou a bezpečnou cestu, jak si na svém počítači vytvořit lokální umělou inteligenci.

Reklama

Samsung Electronics si tak připravil další model do již známé skupiny SSD tvořených jedním čipem, respektive přesněji jedním pouzdem, a to konkrétně ve formátu embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1. Díky tomu se tak tento produkt bude hodit především do mobilních zařízení, ovšem podobné produkty nabízí třeba i Toshiba, která nedávno uvedla na trh SSD BG4. To si můžeme namontovat do jakéhokoliv počítače s příslušným slotem M.2 s podporou PCIe. 

Samsung vytvořil 1TB SSD v jednom malém pouzdře

Samsung navazuje na své předchozí eUFS, které odstartoval před čtyřmi lety 128GB modelem a nyní tedy přichází další s kapacitou 1 TB, který jen dokazuje, že nejen s ohledem na kapacitu paměti RAM se dnešní mobilní zařízení dokáží přiblížit i desktopovým počítačům. Srovnání to však není zcela férové, protože v tomto případě srovnáváme vcelku běžný desktop s tím nejlepším, co nabízí mobilní technologie a samozřejmě není problém si složit takový počítač, na jehož kapacitu RAM a SSD/HDD by žádný mobil nedosáhl. 

Jak už bylo uvedeno, pouzdro eUFS má v tomto případě rozměry 11,5 x 13 mm a navyšuje kapacitu předchozí 512GB verze na dvojnásobek, a to kombinací 16 vrstev pamětí Samsung V-NAND s kapacitou 512 Gb. Samsung se také chlubí slušným výkonem, a sice přenosovou rychlostí až 1000 MB/s a oproti 512GB verzi se také o 38 procent zvedl výkon v náhodném zápisu na 58.000 IOPS. 

Samsung vytvořil 1TB SSD v jednom malém pouzdře

Nové 512Gb paměti V-NAND také čeká výrazné navýšení produkce v průběhu první poloviny tohoto roku a firma očekává, že o její 1TB eUFS bude silný zájem. 


Reklama
Reklama

Komentáře

Nejsi přihlášený(á)

Pro psaní a hodnocení komentářů se prosím přihlas ke svému účtu nebo si jej vytvoř.

Rychlé přihlášení přes:

Reklama
Reklama
Reklama