Šéfarchitektův profil ukazuje už na vývoj Zen 5

Společnost AMD na trh po Bulldozerech vyslala jako nástupnickou architekturu Zen v první stejnojmenné verzi. Následovala druhá generace, která vyměnila 14nm proces za 12nm, ovšem ten společně s danou generací představoval jen mírné vylepšení, a tak jsme i mluvili o Zen+. Opravdový pokrok přichází v této době se Zen 2, která výrazně vylepšila výkon, přinesla více jader v notně pozměněné podobě a také nový výrobní proces, 7nm od TSMC.

 

 

Na cestě pro příští rok už je Zen 3, od které očekáváme, že nabídne opět výraznější změny a využije proces 7nm+. Ten rozhodně nebude představovat podobný pokrok jako 12nm proces oproti 14nm. S dnešním 7nm má mít pramálo společného a už se při něm také na několika vrstvách čipu využije Extrémní Ultrafialová Litografie (EUV) namísto klasické DUV.

 

O Zen 4 zatím nic nevíme krom toho, že už se na ní pracuje a nyní se potvrdilo, že po ní bude následovat Zen 5, jak prozradil profil Davida Suggse. 

 

 

Ten pracoval jako šéfarchitekt právě na Zen 2, což by logicky mělo znamenat, že už pracuje na Zen 5, když Zen 2 už je na trhu a ostatně musela být v podstatě dokončena řadu měsíců před tím, než se výsledné procesory dostaly na trh. Ostatně vývoj procesorových architektur obvykle probíhá pěknou řádku let dopředu. 

 

Pokud má Zen 3 dorazit v příštím roce, pak Zen 5 by mohla být architektura chystaná nejdříve na rok 2022, a to za předpokladu, že vše půjde jak na drátkách, a to jak v AMD, tak v případě vývoje nových výrobních procesů. Když už jsme u nich, pak Zen 5 by už rozhodně měl využít 5nm technologii a nejspíše už v případě produktů AMD podruhé v řadě. Samozřejmostí bude EUV, a to na více vrstvách v porovnání se 7nm+. 

 

Můžeme tak spekulovat, že Zen 4 už využije jednu z prvních generací 5nm procesu, který je v případě firmy TSMC ostatně už od letošního roku ve zkušebním provozu a výroba ve velkém má začít v první polovině příštího roku. V roce 2021 by tak už měl být 5nm proces dost vyspělý na to, aby ho mohlo AMD využít i se slibovanou o 80 % vyšší tranzistorovou hustotou oproti dnešnímu 7nm procesu. 

 

Zdroj: wccftech