SK hynix oznamuje vývoj 238vrstvých pamětí 4D NAND TLC

SK hynix následuje společnost Micron ve zvyšování počtu vrstev pamětí Flash. Zatímco Micron ohlásil 232vrstvé paměti, SK hynix to zkouší s 238vrstvými. Jejich vývoj skončil v červenci, alespoň co se týče 512Gb 4D NAND TLC variant, které už byly rozeslány v prvních vzorcích zákazníkům. Jejich velkosériová výroba se plánuje na první polovinu příštího roku. 

 

 

4D struktura zde využívá technologií Charge Trap Flash (CTF) a Peri Under Cell (PUC). CTF eliminuje ovlivňování sousedními buňkami a zvyšuje rychlost čtení a zápisu. PUC pak vkládá periferní obvody pod paměťové buňky a nikoli vedle nich. Podle výrobce se na wafer vejde o 34 % více čipů ve srovnání se 176vrstvými, což zvyšuje produktivitu výroby (při zachování stejné výtěžnosti). Přenosová rychlost se zvýšila o polovinu na 2,4 Gbps a energie potřebná pro čtení dat se snížila o 21 %, takže novinka je i úspornější. 

 

S novými paměťovými čipy se počítá nejprve ve spotřebitelských SSD. Později přijdou na řadu i úložiště do mobilních zařízení (např. smartphonů) a serverová SSD. V příštím roce se také počítá s uvedením 1Tb varianty. 

 

Zdroj: wccftech.com, skhynix.com