Recenze  |  Aktuality  |  Články
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty
Chlazení a skříně
Ostatní
Periférie
Procesory
Storage a RAM
Základní desky
O nás  |  Napište nám
Facebook  |  Twitter
Digimanie  |  TV Freak
Svět mobilně  |  Svět audia

SK hynix oznamuje vývoj 238vrstvých pamětí 4D NAND TLC

, , aktualita
SK hynix oznamuje vývoj 238vrstvých pamětí 4D NAND TLC
Chvíli poté, co Micron představil 232vrstvé paměti Flash, konkurenční společnost SK hynix zvyšuje toto číslo na 238 vrstev. Oznamuje totiž dokončení vývoje nových pamětí typu 4D NAND TLC, které mají dále znatelně zvýšit datovou hustotu. 
SK hynix oznamuje vývoj 238vrstvých pamětí 4D NAND TLC
SK hynix následuje společnost Micron ve zvyšování počtu vrstev pamětí Flash. Zatímco Micron ohlásil 232vrstvé paměti, SK hynix to zkouší s 238vrstvými. Jejich vývoj skončil v červenci, alespoň co se týče 512Gb 4D NAND TLC variant, které už byly rozeslány v prvních vzorcích zákazníkům. Jejich velkosériová výroba se plánuje na první polovinu příštího roku. 
 
SK hynix 4D TLC NAND 238vrstvé
 
4D struktura zde využívá technologií Charge Trap Flash (CTF) a Peri Under Cell (PUC). CTF eliminuje ovlivňování sousedními buňkami a zvyšuje rychlost čtení a zápisu. PUC pak vkládá periferní obvody pod paměťové buňky a nikoli vedle nich. Podle výrobce se na wafer vejde o 34 % více čipů ve srovnání se 176vrstvými, což zvyšuje produktivitu výroby (při zachování stejné výtěžnosti). Přenosová rychlost se zvýšila o polovinu na 2,4 Gbps a energie potřebná pro čtení dat se snížila o 21 %, takže novinka je i úspornější. 
 
S novými paměťovými čipy se počítá nejprve ve spotřebitelských SSD. Později přijdou na řadu i úložiště do mobilních zařízení (např. smartphonů) a serverová SSD. V příštím roce se také počítá s uvedením 1Tb varianty. 
 


reklama