V srpnu loňského roku oznámila společnost SK hynix vývoj 238vrstvých pamětí 4D NAND TLC a nyní spouští jejich velkosériovou výrobu. Oproti původním 176vrstvým variantám má dosahovat o 34 % lepší výrobní efektivity. Díky 238 vrstvám dokáže nabídnout vyšší hustotu dat, tedy větší kapacitu na menší ploše než u 3D NAND se 176 vrstvami. V budoucnu by to mělo umožnit další navýšení kapacity SSD.
Výhodou nových paměťových čipů mají být vyšší přenosové rychlosti. Rozhraní nyní navyšuje svou rychlost na pin z 1,6 na 2,4 Gb/s, tedy o 50 %. V praxi se předpokládá navýšení přenosových rychlostí při čtení a zápisu o zhruba 20 %. Čipy už prošly úspěšnými testy kompatibility u jednoho velkého výrobce smartphonů, takže lze očekávat jejich brzké nasazení i jako úložiště v nových telefonech. Možná ještě dřív, než se s nimi setkáme v SSD do počítačů a notebooků.
