Referenční napětí dnešních pamětí DDR4 je pouze 1,2 V a i když už běžně mají o pár desetinek více, aby se mohly dostat na vyšší takty, rozhodně je běžný uživatel neprovozuje na 2,6 V. Výchozí napětí DDR5 SDRAM je přitom dle JEDEC ještě nižší, a to 1,1 V, přičemž společnost TeamGroup (respektive její T-Force Gaming) potvrdila, že umožní navýšit napětí i na 2,6 V či ještě více. To bude samozřejmě využitelné pouze při extrémním přetaktování s využitím tekutého dusíku či dokonce helia.
Firma T-Force Gaming už poslala příslušné vzorky pamětí výrobcům desek, čili společnostem jako Asus, Gigabyte, MSI či ASRock, aby mohly být řádně vyzkoušeny na chystaných modelech.
Dozvídáme se také, že paměti DDR5 mají mnohem lepší možnosti pro celkovou úpravu či nastavení provozního napětí. Jde o přímý důsledek změny v napájení, neboť DDR4 využívají napájecí obvody pro úpravu provozního napětí, které jsou umístěny na základních deskách. DDR5 si napětí upravují samy pomocí vlastních PMIC (Power Management IC), a samy si tak umožní nastavit i přes 2,6 V, přičemž úroveň napětí má být také stabilnější než v případě DDR4.
O tom jsme již věděli, ale až nyní nám T-Force Gaming sděluje, jaký to bude mít dopad na celkové možnosti napájení a přetaktování. Co se týče výsledného taktu, můžeme jen odhadovat na jaký fyzický či efektivní takt se overclockeři dostanou, ale zde lze souhlasit s autorem na wccftech, že vzhledem k dosažení efektivního taktu 6666 MHz na DDR4 je už ohrožena meta 10 GHz (fyzických 5 GHz).
