UK III-V Memory slibuje kombinované výhody pamětí DRAM a NAND Flash

Takových technologií se už několik objevilo, nicméně žádná z nich nedokázala proniknout do běžného světa, čili my tu prostě máme stále technologii DRAM a paměti NAND Flash a tento neměnný stav v poslední době dokázaly jen mírně narušit 3D XPoint od Micronu a Intelu. Kdo by tak očekával, že sebelepší novinka dokáže zakrátko změnit svět výpočetní techniky a zcela nabořit nalinkovaný vývoj, ten může čekat dále, nicméně proč se na ni alespoň nepodívat.

 

 

Řada výzkumníků pracuje na lepších pamětech, než jsou DRAM, které patří mezi jedny z nejvýznamnějších žroutů energie a kvůli jejich "zapomnětlivosti" také vypadá paměťová hierarchie tak, jak vypadá. Pokud by totiž byly operační paměti stálé a po vypnutí energie nezapomínaly, mohla by s plnou vervou nastoupit éra "neustále zapnutých PC", která by se v podstatě nemusela vypínat, jen hibernovat a po svém zapnutí by byla v okamžiku připravena ve stejném stavu, v jakém byla předtím.

 

A pokud by byla úložná hustota takových pamětí dostatečná, mohli bychom získat úložiště dat sloužící současně jako RAM. Nemuselo by samozřejmě jít rovnou o terabajtové kapacity, ale dostatečný prostor třeba pro systémový disk, což by ovšem zcela změnilo dosavadní hierarchii a dnes to spadá spíše do kategorie "PC sci-fi". 

 

Výzkumníci z University of Lancaster ve Velké Británii tvrdí, že vyvinuli paměti fungující rychle jako DRAM, které přitom nezapomínají a navíc při zápisu potřebují pouze jedno procento energie, kterou musí mít k dispozici DRAM. Mluví o UK III-V Memory a své prototypy postavili na 20nm technologii. Zápis do nich probíhá během 5 ns, což je opravdu plně srovnatelné s DRAM a čtení probíhá podobně jako v případě pamětí Flash. 

 

UK III-V pracují s napětím 2,1 V a využívají jistý proces nazývaný "dual well resonant tunnelling junction". To nám může připomenout paměti MRAM firmy Samsung, která zase mluví o "Magnetic Tunnel Junction". V Lancasteru se pro výrobu použily střídající se vrstvy sloučenin GaSb a InAs a zde mě konečně trklo, že o těchto pamětech už byla řeč. Tehdy se nich ale mluvilo ještě jako o Universal Memory a je dobré slyšet, že jejich výzkum a vývoj skutečně probíhá. 

 

prototyp tranzistoru UK III-V

 

Víme tak, že tyto paměti by měly být schopny uložit informaci na opravdu velice dlouhý čas (dříve bylo zmíněno číslo 10¹⁴ let), a to bez probíhající obnovy, čili občasného zápisu opět té samé informace. Stejně by tak uložená informace neměla být ovlivněna při jejím čtení. 

 

Dle autorů jsou tyto paměti schopny nahradit DRAM i Flash na jejich zhruba 100 miliardovém (USD) trhu, ale to je opravdu velice těžké si představit. Aktuálně si Univerzita v Lancasteru nechává své paměti patentovat.

 

Zdroj: Techspot