WD ukázal 96vrstvé NAND Flash se 4 bity na buňku

Vypadá to, že masivní investice Toshiby do pamětí NAND Flash se brzy začnou velice vyplácet, však nedlouho po 512Gbit TLC 3D NAND pamětech se 64 vrstvami jsou představeny nové, které mají rovnou 96 vrstev a navíc buňky QLC. 

 

 

Jenomže Toshiba je aktuálně ve velice složité situaci a chce své obrovské finanční ztráty zahojit prodejem svého polovodičového byznysu, čemuž však dle nejnovějších zpráv chce její partner, čili Western Digital, zabránit. A vypadá to, že se mu to podaří, neboť k takové akci bude Toshiba dle smluvních ujednání potřebovat jeho souhlas. Věnujme se ale dnešní novince. 

 

V čem jsou tedy nové 96vrstvé QLC paměti tak zajímavé? Oproti aktuálním 64vrstvým s buňkami TLC totiž budou mít na stejné ploše výrazně vyšší kapacitu. Ta je dána jednak počtem vrstev, který narostl o polovinu. Pak se také o třetinu zvýšila kapacita buněk, takže jednoduchým výpočtem dojdeme k tomu, že kapacita bude 2x vyšší, což bude mít za následek i příslušné zvýšení kapacity výsledných SSD a jiných paměťových zařízení, respektive výrobci budou mít tu možnost. Potvrzují to i údaje z webu mluvící o 1Tb čipech.

 

 

Co ale znamená, že buňky dokáží uložit 4 bity? Jednoduše to, že kontroler bude muset rozlišit dvojnásobný počet úrovně náboje, který je v nich uložen, a to oproti TLC. První SSD používala buňky SLC (Single Level Cell), pak nastoupily MLC (Multi), TLC (Tri) a nyní QLC (Quadro). A pokud SLC měly ukládat jen jeden bit, stačilo rozlišit 0 a 1, čili dvě úrovně náboje, MLC to rozšířily na dva bit, a tedy čtyři úrovně pro stavy 00, 01, 10 a 11, TLC na osm a QLC tedy už musí rozlišovat 16 úrovní.

 

Je tak jasné, že fyzické rozměry těchto buněk už nemohou být nikde poblíž toho, co nabízí nejmodernější rovinné paměti NAND Flash, neboť ty už měly velké problémy jen s TLC. Výhodou 3D NAND Flash je ale právě to, že díky vrstvení mohou být buňky větší, čímž se do nich vejde i více elektronů a výsledné úrovně náboje se rozlišují snadněji. Přesto ale můžeme s obavami čekat, co QLC logika udělá především s rychlostmi zápisu. 

 

Server Anandtech potvrzuje, že aby buňky QLC pracovaly spolehlivě, musela Toshiba s WD použít alespoň takový 40nm proces a možná ještě větší rozlišení, zatímco rovinné NAND Flash se už běžně tvoří 20nm procesy. Velká otázka je, jakou výdrž, čili jaký počet mazacích a zapisovacích cyklů (P/E) takové buňky budou mít, přičemž lze očekávat, že to nebude ani pár set. V každém případě budou takové paměti určeny pro spotřebitelská zařízení s celkově krátkou očekávanou životností a především taková, která se označují jako WORM (Write Once, Read Many), jež nebudou sloužit k častému zapisování dat. 

Zdroj: Extremetech