Nvidia GH200 Grace Hopper Superchip využívá nový typ pamětí HBM3E od Micronu, nicméně společnost Samsung nyní přináší jejich ještě rychlejší varianty. Jmenují se HBM3E Shinebolt a dle Samsungu dosahují extrémně vysoké rychlosti 9,8 Gbps na pin, jsou tedy už na dostřel kulaté hranici 10 Gbps na pin. To má stačit na dosažení propustnosti přes 1,2 TB/s (na 1024bitové sběrnici). Pro lepší vedení tepla byla využita technologie NCF, která eliminuje mezery mezi jednotlivými vrstvami čipu. Využití mají najít především v systémech pro trénování a běh (inferenci) algoritmů umělé inteligence. Zatímco paměti HBM3 už Samsung velkosériově vyrábí, nově představené čipy HBM3E Shinebolt jsou vyráběny v omezeném množství a vzorky jsou teprve rozesílány partnerům.
Na Memory Tech Day ale Samsung ale také pohovořil o nových 3D strukturách pro paměti DRAM, které mají být vyráběny sub-10nm procesem a vytvořit čipy s kapacitou přes 100 Gb. Nyní vyrábí DRAM 12nm technologií a pracuje na 11nm procesu. Také se vyvíjí technologie pro 1000vrstvé paměti V-NAND. Aby toho nebylo málo, vedle nedávno představených LPDDR5X CAMM2 se 7,5Gbps čipy ukázal také varianty s 9,6Gbps modely. Dalším novým produktem bylo Detachable AutoSSD s kapacitou 4 TB a rychlostí 6500 MB/s. Už podle názvu jde o odnímatelné SSD, což má umožnit výrobcům aut upgrade za větší model.
