Test: 7x DDR paměti PC3200-PC4400

Když jsme se snažili sehnat paměti do testu, zadání bylo prosté: nejrychlejší s nejnižším časováním. Na základě tohoto zadání nám přišly do redakce od celkem 6 výrobců.

Nedá se říct, že by se v poslední době taktovaly počítače více než v předchozích letech, ale hodně klesly ceny paměťových modulů. Proto si tyto paměti může dovolit stále více lidí, kterým overclocking něco říká. Ale než začneme se samotným testem, je vhodné si připomenout něco málo teorie.


Teorie

Při výběru pamětí je několik faktorů. Když opominu, že u levných modulů často záleží na daném kusu, je nutné si uvědomit na jakých frekvencích bydou paměti ve vašem počítači pracovat. Toto platí především pro uživatele s platformou Intel (hlavně pak Pentium 4). Faktorem druhým je časování pamětí. Tedy laicky řečeno, časování pamětí značí jak rychle (respektive s jakým vnitřním zpožděním) budou paměti schopny reagovat na požadavky. Jedná se o několik nastavení, které určují paměti jakých čekacích cyklů při čtení či zápisu má použít, jaké má mít doby aktivací, vystavení, zotavení a další. Jak si dále v testu ukážeme, nastavení časování může na stejných frekvencích udělat až 10% (v závisloti na dané aplikaci).

• Frekvence

Když se podíváme na následující tabulku, zjistíme, že pro procesory na základní frekvenci stačí paměti PC3200, tedy paměti s efektivní rychlostí 400MHz. Ale jakmile se rozhodneme trochu taktovat, je nutné si uvědomit, že se nezvyšuje pouze frekvence FSB a potažmo procesoru, ale také frekvence pamětí (neuvažuji o možnosti provozovat paměti asynchronně, jelikož tato varianta není příliš rychlá). Proto je nutné mít kvalitní a dostatečně rychlé paměti.

• Časování (timing)

Mezi nejdůležitější parametry patří CAS (často také označované jako CL), dále pak Trcd, Tras a Trp. Toto označení se používá v biosech základních desek, ale správně by to mělo být tRP, tRAS a tRCD.

• CAS latency (CL) - (Column Acces Strobe Latency latency), tedy odezva, je to počet cyklů, které jsou potřebné k získání dat z paměťové buňky. Možné hodnoty jsou od 1 (v praxi skoro nepoužitelné), přes 2 a 2,5 (nejfrekventovanější nastavení) a konče hodnotou 3 (která se používá pouze u vysoko taktovaných pamětí nebo u neznačkových kusů).
• tRP (Precharge to Active) - Čas potřebný ke změně vnitřní buňky. (RAS Precharge)
• tRAS (Active to Precharge) - Délka paměťového cyklu buňky a udává počet cyklů, které proběhnou mezi aktivací a jejím "přednabitím".
• tRCD (Active to CMD) - Určuje čas, který je potřebný mezi aktivací buňky a příkazem pro čtení.

CAS latency (CL) získáme ze vzorce CL >= tCAC / tCLK. kde tCAC je Column Access Time a tCLK je délka cyklu.

Pro časování platí následující:

• CAS latency - platí, že čím nižší tím lepší
• tRP - u nejlepších pamětí je tato hodnota 2. Opět platí - nižší je lepší.
• tRCD - zde platí stejné pravidlo jako pro tRP a často lze použít i stejnou hodnotu.
• tRAS - zde je trochu zakopaný pes, jelikož nastavení těchto hodnot hodně záleží na daném čipsetu. Pro i875 platí, nižší je lepší, ale třeba pro nForce2 je nejlepší hodnota mezi 9 a 11.

Vlastní nastavení časování má vliv na výkon systému v jednotkách procent, vše však závisí na používaných aplikacích. Každá z pamětí má od výrobce určené optimální nastavení tohoto časování tak, aby bylo zajištěno, že v systému (z tohoto pohledu) stoprocentně poběží a nebudou s ní problémy. Výrobci tím navíc usnadňují život běžným (nezkušeným) uživatelům, kteří se tak nemusí o nic starat. Toto optimální nastavení je s dalšími hodnotami (jako velikost paměti, voltáž, rychlost, …) uloženo v SPD (Serial Presence Detect) čipu, přítomného na každém paměťovém modulu, ze kterého toto nastavení deska přečte. Pokud na paměti tento čip není nebo je třeba poškozen a deska tak nedetekuje doporučená nastavení, poté automaticky nastaví nejkonzervativnější hodnoty. Pokud některým uživatelům nastavené hodnoty (ať už ty nejnižší nebo ty z SPD čipu) nevyhovují, pak je mají možnost na většině základních desek změnit v BIOSu sami.

Poslední věcí je označení Dual-Bank a Dual-Side. Tyto dva pojmy se nesmí zaměňovat, jelikož Dual-Side je označení pro umístění paměťových čipů na obou stranách pamětí, ale Dual-Bank je elektrický termín, který říká, že paměti jsou rozděleny na dvě elektrické části. Tyto pojmy jsou někdy důležité při řešení problémů s kompatibilitou u některých základních desek.