1Gbit paměťové moduly od Infineonu
29.8.2003, David Vrtal, aktualita
Společnost Infineon uvede na trh paměťové čipy typu 1-Gbit DDR SDRAM, jež jsou vyráběny 110 nm CMOS výrobním procesem. Jejich plocha je 160 mm2 a jedná se tudíž o nejmenší čipy tohoto typu na světě. Pro balení bude využívána vrstvená FBGA...
Společnost Infineon uvede na trh paměťové čipy typu 1-Gbit DDR SDRAM, jež jsou vyráběny 110 nm CMOS výrobním procesem. Jejich plocha je 160 mm2 a jedná se tudíž o nejmenší čipy tohoto typu na světě.
Pro balení bude využívána vrstvená FBGA technologie s názvem „Dual Die Stach“, která umožňuje vyrobit druhý silikonový čip na povrchu prvního. Tím bude dosaženo vysoké paměťové hustoty a výborných elektrických a tepelných vlastností. Alternativně budou dostupné i moduly vyráběné vrstvenou technologií TSOP.
Na trhu budou modely pracující na frekvencích 133 až 200 MHz, vyráběné v uspořádáních 2x, 4x a 8x. Pro servery budou k dispozici registered 2Gb/4Gb a unbuffered 2Gb moduly typu DIMM. Pro použití v noteboocích budou vyráběny 1Gb a 2Gb moduly typu SO-DIMM. Testovací vzorky všech typů budou nabízeny v průběhu čtvrtého čtvrtletí 2003, přičemž s větší výrobou se začne až v roce 2004.
Zdroj: Digit-Life
Pro balení bude využívána vrstvená FBGA technologie s názvem „Dual Die Stach“, která umožňuje vyrobit druhý silikonový čip na povrchu prvního. Tím bude dosaženo vysoké paměťové hustoty a výborných elektrických a tepelných vlastností. Alternativně budou dostupné i moduly vyráběné vrstvenou technologií TSOP.
Na trhu budou modely pracující na frekvencích 133 až 200 MHz, vyráběné v uspořádáních 2x, 4x a 8x. Pro servery budou k dispozici registered 2Gb/4Gb a unbuffered 2Gb moduly typu DIMM. Pro použití v noteboocích budou vyráběny 1Gb a 2Gb moduly typu SO-DIMM. Testovací vzorky všech typů budou nabízeny v průběhu čtvrtého čtvrtletí 2003, přičemž s větší výrobou se začne až v roce 2004.
Zdroj: Digit-Life
