Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

Dynamic Flash Memory, lepší alternativa pamětí DRAM?

28.5.2021, Jan Vítek, aktualita
Dynamic Flash Memory, lepší alternativa pamětí DRAM?
Startup Unisantis Electronics přichází s novým typem pamětí, které tvoří alternativu pro dnes široce využívané DRAM. Jde sice o mladou firmu, ovšem za ní stojí sám Fujio Masuoka, vynálezce pamětí NAND Flash.
Dynamic Flash Memory (DFM) mají být lepší alternativou pro paměti typu DRAM, přičemž stejně jako ony jsou energeticky závislé, čili po odpojení od zdroje napájení ztratí svou informaci. V čem jsou tedy lepší než DRAM, když s ohledem na volatilitu jsou na tom stejně? 
 
 
Dle Unisantis Electronics budou Dynamic Flash Memory zajímavé především díky čtyřnásobné paměťové hustotě oproti DRAM, vyššímu výkonu a nižší spotřebě díky delší periodě obnovy náboje. Mají být také jednoduché na výrobu. 
 
Paměti DRAM se skládají z jednotlivých buněk pro ukládání bitů, přičemž tyto buňky tvoří vždy jeden kondenzátor a jeden tranzistor, přičemž nabitá buňka představuje hodnotu 1 a vybitá zase hodnotu 0.
 
Nové paměti DFM jsou přitom ještě jednodušší, i když jak se to vezme. Založeny jsou na Dual Gate Surrounding Gate Transistor (SGT), čili na typu, který na našich stránkách jinak označujeme jako GAAFET či MBCFET coby budoucnost počítačových čipů, která bude následovat po aktuálních rozšířených tranzistorech FinFET. Díky využití SGT buňky tu už není zapotřebí kondenzátor, což je zjednodušení, o které se už dříve pokoušeli autoři jiných pamětí jako ZRAM. Ty ale ztroskotaly na příliš malém rozdílu v náboji rozlišujícím zapsanou 0 od 1, který má být v případě DFM více než dostatečný, díky čemuž mají nabídnout potřebný výkon a spolehlivost. 
 
 
DFM využívají design buněk 4F2 (či 4F2), díky čemuž tak budou výrazně menší než DRAM využívající už nějakou dobu design 6F2, na nějž se před lety přešlo z tradičního 8F2. Právě to zajistí vysoký nárůst paměťové hustoty, čili kapacity na danou plochu čipu, přičemž autoři mluví dokonce o výsledném čtyřnásobku. 
 
Unisantis Electronics přitom nemá ambice své paměti DFM vyrábět, ale chtěla by je licencovat jiným firmám. Zájem by tak mohly mít především společnosti Samsung, SK Hynix či Micron, čili DFM přijdou na trh pouze v případě, že se jich ujme některý z výrobců. DFM přitom mohou využít běžné procesy pro výrobu křemíkových čipů a dle Unisantis ani nemají být složité na výrobu, a to zvláště v případě, že daná firma sama počítá s využitím tranzistorů typu GAAFET. Můžeme se tak dívat především směrem ke společnosti Samsung, neboť ta by měla čipy založené na těchto tranzistorech nabídnout snad jako první na světě.