
Elpida používá "dual-gate" tranzistory, které mají zamezit vzniku zbytkového proudu, což je vedlejší efekt snahy běžet s nižším napětím při vyšším výkonu. Dual-gate tranzistory se používají u výkonných procesorů, ale použití v produktech DRAM je premiérové.
Přestože DDR3 paměti budou nabízet mnohem vyšší přenosové rychlosti, mohou se pyšnit nižším provozním napětím 1,5V v porovnání s 1,8V pamětí DDR2. To přinese opět o něco sníženou spotřebu (ovšem pokud příliš nevzroste proudový odběr). Automatická kalibrace výstupního bufferu pak přináší lepší kontrolu nad časováním při změnách voltáže a teploty. To umožní robustní a vysoce výkonný provoz.
512Mbit DDR3 čipy vyráběné 90nm technologií mají být ve vzorkových množstvích k dispozici do konce tohoto roku, začátek výroby by pak měl nastat v roce 2006 na základě poptávky. V plánu je vývoj 1Gbit a 2Gbit DDR3 čipů.
Zdroj: www.elpida.com