Elpida oznamuje vývoj 512Mb DDR3 čipů
23.8.2005, Milan Šurkala, aktualita
![Elpida oznamuje vývoj 512Mb DDR3 čipů](navstevnost-a-redakce/1/img/website-800.jpg)
Jen co se DDR2 čipy konečně začaly ve velké míře prodávat, už Elpida vyvíjí jejich nástupce, 512Mbit čipy DDR3. Tyto čipy mají být stejně jako předchůdci používány v noteboocích, klasických PC i serverech. Navíc mají přinést v základu neuvěřitelné...
Jen co se DDR2 čipy konečně začaly ve velké míře prodávat, už Elpida vyvíjí jejich nástupce, 512Mbit čipy DDR3. Tyto čipy mají být stejně jako předchůdci používány v noteboocích, klasických PC i serverech. Navíc mají přinést v základu neuvěřitelné přenosové rychlosti 1333Mbit/s (tedy DDR3-1333 čipy). To je dvojnásobek dnes masově vyráběných čipů. Existují však i DDR2 čipy s frekvencemi nad 1GHz.
![](elpida-oznamuje-vyvoj-512mb-ddr3-cipu/12541/img/body-0.308.jpg)
Elpida používá "dual-gate" tranzistory, které mají zamezit vzniku zbytkového proudu, což je vedlejší efekt snahy běžet s nižším napětím při vyšším výkonu. Dual-gate tranzistory se používají u výkonných procesorů, ale použití v produktech DRAM je premiérové.
Přestože DDR3 paměti budou nabízet mnohem vyšší přenosové rychlosti, mohou se pyšnit nižším provozním napětím 1,5V v porovnání s 1,8V pamětí DDR2. To přinese opět o něco sníženou spotřebu (ovšem pokud příliš nevzroste proudový odběr). Automatická kalibrace výstupního bufferu pak přináší lepší kontrolu nad časováním při změnách voltáže a teploty. To umožní robustní a vysoce výkonný provoz.
512Mbit DDR3 čipy vyráběné 90nm technologií mají být ve vzorkových množstvích k dispozici do konce tohoto roku, začátek výroby by pak měl nastat v roce 2006 na základě poptávky. V plánu je vývoj 1Gbit a 2Gbit DDR3 čipů.
Zdroj: www.elpida.com
![](elpida-oznamuje-vyvoj-512mb-ddr3-cipu/12541/img/body-0.308.jpg)
Elpida používá "dual-gate" tranzistory, které mají zamezit vzniku zbytkového proudu, což je vedlejší efekt snahy běžet s nižším napětím při vyšším výkonu. Dual-gate tranzistory se používají u výkonných procesorů, ale použití v produktech DRAM je premiérové.
Přestože DDR3 paměti budou nabízet mnohem vyšší přenosové rychlosti, mohou se pyšnit nižším provozním napětím 1,5V v porovnání s 1,8V pamětí DDR2. To přinese opět o něco sníženou spotřebu (ovšem pokud příliš nevzroste proudový odběr). Automatická kalibrace výstupního bufferu pak přináší lepší kontrolu nad časováním při změnách voltáže a teploty. To umožní robustní a vysoce výkonný provoz.
512Mbit DDR3 čipy vyráběné 90nm technologií mají být ve vzorkových množstvích k dispozici do konce tohoto roku, začátek výroby by pak měl nastat v roce 2006 na základě poptávky. V plánu je vývoj 1Gbit a 2Gbit DDR3 čipů.
Zdroj: www.elpida.com