Elpida oznamuje vývoj 512Mb DDR3 čipů
23.8.2005, Milan Šurkala, aktualita
Jen co se DDR2 čipy konečně začaly ve velké míře prodávat, už Elpida vyvíjí jejich nástupce, 512Mbit čipy DDR3. Tyto čipy mají být stejně jako předchůdci používány v noteboocích, klasických PC i serverech. Navíc mají přinést v základu neuvěřitelné...
Jen co se DDR2 čipy konečně začaly ve velké míře prodávat, už Elpida vyvíjí jejich nástupce, 512Mbit čipy DDR3. Tyto čipy mají být stejně jako předchůdci používány v noteboocích, klasických PC i serverech. Navíc mají přinést v základu neuvěřitelné přenosové rychlosti 1333Mbit/s (tedy DDR3-1333 čipy). To je dvojnásobek dnes masově vyráběných čipů. Existují však i DDR2 čipy s frekvencemi nad 1GHz.
Elpida používá "dual-gate" tranzistory, které mají zamezit vzniku zbytkového proudu, což je vedlejší efekt snahy běžet s nižším napětím při vyšším výkonu. Dual-gate tranzistory se používají u výkonných procesorů, ale použití v produktech DRAM je premiérové.
Přestože DDR3 paměti budou nabízet mnohem vyšší přenosové rychlosti, mohou se pyšnit nižším provozním napětím 1,5V v porovnání s 1,8V pamětí DDR2. To přinese opět o něco sníženou spotřebu (ovšem pokud příliš nevzroste proudový odběr). Automatická kalibrace výstupního bufferu pak přináší lepší kontrolu nad časováním při změnách voltáže a teploty. To umožní robustní a vysoce výkonný provoz.
512Mbit DDR3 čipy vyráběné 90nm technologií mají být ve vzorkových množstvích k dispozici do konce tohoto roku, začátek výroby by pak měl nastat v roce 2006 na základě poptávky. V plánu je vývoj 1Gbit a 2Gbit DDR3 čipů.
Zdroj: www.elpida.com
Elpida používá "dual-gate" tranzistory, které mají zamezit vzniku zbytkového proudu, což je vedlejší efekt snahy běžet s nižším napětím při vyšším výkonu. Dual-gate tranzistory se používají u výkonných procesorů, ale použití v produktech DRAM je premiérové.
Přestože DDR3 paměti budou nabízet mnohem vyšší přenosové rychlosti, mohou se pyšnit nižším provozním napětím 1,5V v porovnání s 1,8V pamětí DDR2. To přinese opět o něco sníženou spotřebu (ovšem pokud příliš nevzroste proudový odběr). Automatická kalibrace výstupního bufferu pak přináší lepší kontrolu nad časováním při změnách voltáže a teploty. To umožní robustní a vysoce výkonný provoz.
512Mbit DDR3 čipy vyráběné 90nm technologií mají být ve vzorkových množstvích k dispozici do konce tohoto roku, začátek výroby by pak měl nastat v roce 2006 na základě poptávky. V plánu je vývoj 1Gbit a 2Gbit DDR3 čipů.
Zdroj: www.elpida.com
