reklama
Recenze  |  Aktuality  |  Články
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty
Chlazení a skříně
Ostatní
Periférie
Procesory
Storage a RAM
Základní desky
O nás  |  Napište nám
Facebook  |  Twitter
Digimanie  |  TV Freak
Svět mobilně  |  Svět audia

Extreme Ultraviolet Lithography se vyvíjí příliš pomalu

, , aktualita
Extreme Ultraviolet Lithography se vyvíjí příliš pomalu
Extrémní ultrafialová litografie, neboli EUV lithography, se dle technologů Intelu vyvíjí příliš pomalu a za poslední rok nebyl uskutečněn výraznější krok kupředu. Mike Mayberry (Director of Components Research a Vice president of the Technology...
Extreme Ultraviolet Lithography se vyvíjí příliš pomalu
Extrémní ultrafialová litografie, neboli EUV lithography, se dle technologů Intelu vyvíjí příliš pomalu a za poslední rok nebyl uskutečněn výraznější krok kupředu. Mike Mayberry (Director of Components Research a Vice president of the Technology Manufacturing Group, Intel) řekl, že v podstatě má EUV tři problémy. Chybí vyhovující zdroje, masky bez defektů a chránidla před nežádoucími vlivy.


Schéma EUV litografie

A i když se pracovníci intenzivně snaží tyto problémy řešit, tyto stále přetrvávají, což brání dalšímu zmenšování na 32nm výrobní proces a méně. Roadmap litografie Intelu se tak musela již v únoru pozměnit, kdy Intel oznámil, že nová technologie bude připravena pro masovou výrobu do roku 2009. Teď situace vypadá tak, že se i pro 32nm využije klasického DUV záření v rámci "immersion litography", kde se využívá pro vyplnění prostoru mezi optikou laserů a waferem vysoce čistá, deionizovaná voda.

Zdroj: Electronic Engineering Times
reklama
reklama
reklama