reklama
Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

Extreme Ultraviolet Lithography se vyvíjí příliš pomalu

20.11.2006, Jan Vítek, aktualita
Extreme Ultraviolet Lithography se vyvíjí příliš pomalu
Extrémní ultrafialová litografie, neboli EUV lithography, se dle technologů Intelu vyvíjí příliš pomalu a za poslední rok nebyl uskutečněn výraznější krok kupředu. Mike Mayberry (Director of Components Research a Vice president of the Technology...
Extrémní ultrafialová litografie, neboli EUV lithography, se dle technologů Intelu vyvíjí příliš pomalu a za poslední rok nebyl uskutečněn výraznější krok kupředu. Mike Mayberry (Director of Components Research a Vice president of the Technology Manufacturing Group, Intel) řekl, že v podstatě má EUV tři problémy. Chybí vyhovující zdroje, masky bez defektů a chránidla před nežádoucími vlivy.


Schéma EUV litografie

A i když se pracovníci intenzivně snaží tyto problémy řešit, tyto stále přetrvávají, což brání dalšímu zmenšování na 32nm výrobní proces a méně. Roadmap litografie Intelu se tak musela již v únoru pozměnit, kdy Intel oznámil, že nová technologie bude připravena pro masovou výrobu do roku 2009. Teď situace vypadá tak, že se i pro 32nm využije klasického DUV záření v rámci "immersion litography", kde se využívá pro vyplnění prostoru mezi optikou laserů a waferem vysoce čistá, deionizovaná voda.

Zdroj: Electronic Engineering Times
reklama