Globalfoundries odhalily 14nm tranzistorovou architekturu FinFET

Už na jaře jsme se mohli dočíst o tom, že sdružení firem Common Platform, které zahrnuje Samsung, IBM a Global Foundries, plánuje odpověď na tranzistory Tri-gate od Intelu. Tou má být 14nm tranzistorová architektura FinFET (Fin Field Effect Transistor) navazující na High-K Metal Gate (HKMG) a o tom mluví i nejnovější tisková zpráva firmy Globalfoundries.
Konkrétně se dozvíme o nabídce 14nm-XM tranzistorů, kde XM znamená eXtreme Mobility. Zákazníci bez vlastních továren by díky ní měli rychle získat potřebné řešení připravené pro vypuštění na trh, což se konkrétně týká SoC pro mobilní zařízení. Nová výrobní technologie má zajistit o 40 - 60 % delší výdrž na baterie v porovnání s dnešními rovinnými 20nm tranzistory, i když Globalfoundries zde také používají 20nm elementy kombinované se 14nm FinFET. Prozatím má hotovou testovací linku ve Fab 8 (Saratoga County, New York). Zákazníci firmy by se pak měli dočkat někdy v příštím roce.

Výhody FinFET mají být v podstatě stejné jako u Tri-gate, a sice možnost pracovat při nižších napětích a s minimálními ztrátami. Dále Globalfoundries mluví o výrobní a nákladové efektivitě, rovnováze mezi výkonem a spotřebou, snadné výrobě a designování čipů, atd atd. Pak ale také sděluje, že již delší dobu spolupracuje s firmou ARM na vývoji SoC řešení založená na jejích procesorech, a to především Cortex-A, které jsou v dnešních mobilních zařízeních široce využívané, ať už jde o čipy NVIDIA Tegra nebo jiné. Technologie FinFET tedy má výrazným způsobem zasáhout do další generace mobilních produktů, jak se vyjádřil Dipesh Patel z firmy ARM.

Zdroj: TZ Globalfoundries