Aktuality  |  Články  |  Recenze
Doporučení  |  Diskuze
Grafické karty a hry  |  Procesory
Storage a RAM
Monitory  |  Ostatní
Akumulátory, EV
Robotika, AI
Průzkum vesmíru
Digimanie  |  TV Freak  |  Svět mobilně

Hynix vytvořil nové nízkonapěťové DDR2 pro mobilní zařízení

13.1.2010, Jan Vítek, aktualita
Hynix vytvořil nové nízkonapěťové DDR2 pro mobilní zařízení
Společnost Hynix se zaměřila na nízkonapěťové paměti typu DDR2 s kapacitou 2 Gb. Ty přicházejí asi třičtvrtě roku po 1Gb čipech vyráběných 54nm technologií a jedná se o vůbec první 2Gb paměti označované jako Low Power DDR2 DRAM. Vyráběny...
Společnost Hynix se zaměřila na nízkonapěťové paměti typu DDR2 s kapacitou 2 Gb. Ty přicházejí asi třičtvrtě roku po 1Gb čipech vyráběných 54nm technologií a jedná se o vůbec první 2Gb paměti označované jako Low Power DDR2 DRAM.



Vyráběny jsou pomocí 40nm technologie, pracují na napětí 1,2 V a dosahují propustnosti 4,26 GB/s. Využití si pak mají najít v zařízeních, jako jsou smartphony, tablety nebo smartbooky, přičemž mají vstoupit do produkce ještě v této polovině roku.

Zdroj: TCMagazine